[实用新型]发光二极管的倒装芯片

权利要求书

1.发光二极管的倒装芯片，其特征在于，包括：

一透明的衬底；

一外延单元，其中所述外延单元包括一N型层、一有源区以及一P型层，其中所述衬底、所述N型层、所述有源区和所述P型层依次层叠，其中所述外延单元具有至少一N型层裸露部，所述N型层裸露部自所述P型层经所述有源区延伸至所述N型层；

至少一反射层，其中所述反射层生长于所述外延单元的所述P型层；

一透明的绝缘层，其中所述透明的绝缘层生长于所述外延单元的所述P型层、所述有源区和所述N型层以及生长于所述反射层；

一分布式布拉格反射层，其中所述分布式布拉格反射层生长于所述绝缘层；以及

一电极单元，其中所述电极单元包括至少一N型电极和至少一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述外延单元的所述N型层，所述P型电极被电连接于所述外延单元的所述P型层。

2.根据权利要求1所述的倒装芯片，进一步包括至少一电流扩展层，其中所述电流扩展层生长于所述N型层，并且所述电流扩展层被电连接于所述N型层，其中所述绝缘层生长于所述电流扩展层，其中所述电极单元的所述N型电极被电连接于所述电流扩展层。

3.根据权利要求1所述的倒装芯片，进一步具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层通道自所述分布式布拉格反射层经所述绝缘层延伸至所述N型层，所述N型电极的N型电极针在穿入所述N型层通道后被电连接于所述N型层，其中所述P型层通道自所述分布式布拉格反射层经所述绝缘层延伸至所述P型层，所述P型电极的P型电极针在穿入所述P型层通道后被电连接于所述P型层。

4.根据权利要求3所述的倒装芯片，进一步具有至少一N型层通道和至少一P型层通道，其中所述N型层通道自所述分布式布拉格反射层经所述绝缘层延伸至所述电流扩展层，所述N型电极的N型电极针在穿入所述N型层通道后被电连接于所述电流扩展层，其中所述P型层通道自所述分布式布拉格反射层经所述绝缘层延伸至所述P型层，所述P型电极的P型电极针在穿入所述P型层通道后被电连接于所述P型层。

5.根据权利要求1至4中任一所述的倒装芯片，其中所述分布式布拉格反射层包括至少一对膜层，其中所述一对膜层包括生长于所述绝缘层的一第一膜层和生长于所述第一膜层的一第二膜层，其中所述第一膜层和所述第二膜层具有不同的折射率。

6.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述第一膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率。

7.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述第二膜层的折射率大于所述第一膜层的折射率。

8.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述分布式布拉格反射层包括5-40对所述膜层。

9.根据权利要求1至4中任一所述的倒装芯片，其中所述绝缘层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝组成的材料组，其中所述分布式布拉格反射层的材料为氧化硅或氧化钛或氧化硅和氧化钛的组合。

10.根据权利要求5所述的倒装芯片，其中所述绝缘层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝组成的材料组，其中所述分布式布拉格反射层的材料为氧化硅或氧化钛或氧化硅和氧化钛的组合。

11.根据权利要求6所述的倒装芯片，其中所述绝缘层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝组成的材料组，其中所述分布式布拉格反射层的材料为氧化硅或氧化钛或氧化硅和氧化钛的组合。

12.根据权利要求7所述的倒装芯片，其中所述绝缘层的材料选自：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝组成的材料组，其中所述分布式布拉格反射层的材料为氧化硅或氧化钛或氧化硅和氧化钛的组合。