[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820925948.1 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN208368511U | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 倪贤锋;范谦;何伟 | 申请（专利权）人： | 苏州汉骅半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/201;H01L29/778 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 本实用新型 漏极区域 源极区域 势垒层 衬底 二维电子气 降低器件 栅极区域 微裂纹 良率 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底上的GaN缓冲层和位于所述GaN缓冲层上的ScAlN势垒层，所述ScAlN势垒层包括源极区域、漏极区域和栅极区域，所述源极区域与漏极区域上设有n型接触层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述GaN缓冲层与所述ScAlN势垒层之间设有InGaN或者GaN导电层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述GaN缓冲层与所述ScAlN势垒层之间设有AlN间隔层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述ScAlN势垒层的厚度为5nm-50nm。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极区域上设有栅极，所述n型接触层上分别设有与所述源极区域与漏极区域对应的源极和漏极。
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