[实用新型]专用集成电路芯片的布局结构有效
| 申请号: | 201820915839.1 | 申请日: | 2018-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN208271184U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 杨勇鹏;李桦;杨存永 | 申请(专利权)人: | 北京比特大陆科技有限公司 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王洵 |
| 地址: | 100192 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 运算核心 专用集成电路芯片 保留区域 布局结构 芯片裸片 芯片 输入输出区域 有效减少 运算性能 支撑区域 角位置 位置处 | ||
一种专用集成电路芯片的布局结构,其在运算核心中布置保留区域,将芯片的一角位置处的支撑区域由该角位置处的运算核心的保留区域形成,能够在芯片裸片仅需要单侧的输入输出区域时有效减少芯片裸片面积的浪费,并且可以增加芯片的运算核心的数量,从而提高芯片整体的运算性能。
技术领域
本实用新型涉及集成电路领域,特别是涉及一种专用集成电路芯片的布局结构。
背景技术
区块链技术是利用块链式的结构验证和存储数据,其中验证和存储的数据单元采用数字签名方式,实现数据单元的接收者用以确认数据单元的来源和数据单元的完整性,并保护数据,防止数据单元被篡改或伪造。区块链技术可以用于云计算、物联网、电子商务、身份验证、文件存储、金融交易、数字货币等众多领域。区块链专用集成电路芯片(又称ASIC芯片)是区块链体系中最基础、最核心的计算设备。
现有技术中,为了提高专用集成电路芯片的运算能力,芯片裸片(die)通常采用多级运算核心的结构。图1A是一种由多级运算核心构成的芯片裸片的布局结构,该芯片裸片的布局结构包括位于芯片中间的由多个运算核心组成的计算内核区域以及位于芯片裸片相对的上下边缘的输入输出(I/O)区域,每个输入输出区域包含若干输入输出单元,其中该芯片裸片包括四个角位置处的支撑区域10,用于起到支撑和保护芯片裸片的作用。但是,如图1B所示,有些多级运算核心结构的专用集成电路芯片的芯片裸片可能仅需要单侧的输入输出单元,但是仍然还要保留四个角位置处的支撑区域10,这样就造成了没有输入输出单元那一侧的芯片面积的浪费。
实用新型内容
为了解决上述问题,根据本实用新型的一个方面,提出一种专用集成电路芯片的布局结构,包括:
计算内核区域,所述计算内核区域包括N*M个运算核心组成的阵列,N、M为大于1的整数,所述运算核心在一角位置处具有保留区域;
分别布置于芯片的第一、第二、第三和第四角位置处的第一、第二、第三和第四支撑区域;
其中,第四支撑区域由第四角位置处的运算核心的保留区域形成。
在一些实施方式中,所述布局结构还包括:
分别布置在所述芯片的第一边缘和与所述第一边缘相邻的第二边缘的第一边缘区域和第二边缘区域。
在一些实施方式中,所述布局结构还包括:
所述第一边缘区域和第二边缘区域共享的一端位于芯片的第一角位置,第一边缘区域和第二边缘区域各自的另一端分别位于芯片的第二角位置和第三角位置。
在一些实施方式中,所述运算核心的保留区域为所述运算核心的与所述第四角位置相一致方向的角位置处空缺的一空间区域。
在一些实施方式中,所述计算内核区域中除所述第四角位置处的运算核心以外的运算核心的保留区域用于布置辅助功能器件。
在一些实施方式中,所述辅助功能器件包括静电保护ESD单元、TCD辅助器件、用于芯片中多个电源域的电压均衡的二极管单元中任意一个或组合。
在一些实施方式中,所述第一边缘区域为输入输出区域。
在一些实施方式中,所述输入输出区域包括一个或多个输入输出单元。
在一些实施方式中,所述第二边缘区域为时钟通信接口区域。
在一些实施方式中,所述时钟通信接口区域包括时钟通信接口。
本实用新型实施例提出的专用集成电路芯片的布局结构在运算核心中布置保留区域,将芯片的一角位置处的支撑区域由该角位置处的运算核心的保留区域形成,能够在芯片裸片仅需要单侧的输入输出区域时有效减少芯片裸片面积的浪费,并且可以增加芯片的运算核心的数量,从而提高芯片整体的运算性能。
附图说明
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