[实用新型]一种光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器有效

专利信息
申请号: 201820912562.7 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN208537761U 公开(公告)日: 2019-02-22
发明(设计)人: 史云玲;杨旭;魏喜雯;褚洪波;郑毅;张凤环;李萍 申请(专利权)人: 黑龙江工业学院;天津领芯科技发展有限公司
主分类号: G02B6/126 分类号: G02B6/126;G02B6/136;G02B6/13
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 任小鹏
地址: 158199 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 波导 起偏器 近化学计量比铌酸锂晶体 掺氧化镁铌酸锂晶体 本实用新型 偏振消光比 插入损耗 光纤耦合 高偏振 光功率 消光比 退火 光吸收物质 光学波导 质子交换 铌酸锂 开槽 涂覆 制备 背面 交换
【权利要求书】:

1.一种光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,包括:铌酸锂晶片(5)、光学波导(6)以及光纤套管(3)、保偏光纤(4),所述铌酸锂晶片(5)为光学级掺氧化镁铌酸锂晶体或光学级近化学计量比铌酸锂晶体;所述铌酸锂晶片(5)的背面采用机械切割方式开有沟槽;所述光学波导(6)为直条结构的铌酸锂反质子交换波导;所述光纤套管(3)采用铌酸锂V型槽、铌酸锂U型槽、玻璃圆管或玻璃方管中的任一种;所述保偏光纤(4)为熊猫保偏光纤。

2.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述铌酸锂晶片(5)的厚度为1mm至2mm,晶体切向为X切Y传或Z切Y传。

3.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述铌酸锂晶片(5)背面的第一沟槽(7-1)位于铌酸锂波导晶片总长度的1/2处,所述第一沟槽的深度为0.3mm至0.5mm,并且所述第一沟槽的宽度为0.1mm至0.5mm。

4.根据权利要求3所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述铌酸锂晶片(5)背面的第二沟槽(7-2)和第三沟槽(7-3)位于铌酸锂波导晶片总长度的1/4处和3/4处,所述第二沟槽(7-2)和所述第三沟槽(7-3)的深度比所述第一沟槽(7-1)小0.1mm,即0.2mm至0.4mm,所述第二沟槽(7-2)和所述第三沟槽(7-3)的宽度均为0.1mm至0.5mm。

5.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述铌酸锂晶片(5)背面的第一沟槽(7-1)、第二沟槽(7-2)和第三沟槽(7-3)内涂覆有光吸收物质。

6.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述光学波导(6)的波导宽度在1μm至10μm。

7.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,光纤套管(3)为玻璃圆管,采用石英玻璃材料,圆管外径为1.0mm至1.8mm,圆管内径为0.127mm±0.002mm。

8.根据权利要求1所述的光纤耦合的高偏振消光比波导起偏器,其特征在于,所述保偏光纤(4)的慢轴方向和光学波导(6)的TM偏振模式方向对准。

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