[实用新型]立体硅基模式复用器与解复用器有效
| 申请号： | 201820912449.9 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208459627U | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋卫锋;程方圆;许吉;万洪丹 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12;G02B6/132;G02B6/138 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 下层 一侧边界 上层 本实用新型 中间隔离层 解复用器 模式复用 对齐 衬底层 硅基 三维 器件集成度 波导集成 波导结构 二维平面 宽度中心 立体耦合 器件集成 器件结构 三维模式 上下两层 系统通信 直接耦合 覆盖层 复用器 复杂度 高阶模 下包层 包层 多层 基模 维度 上铺 错位 覆盖 | ||
1.一种立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，包括：衬底层(1)，在衬底层上设有下包层(2)，在下包层(2)上设有下层波导(4)，在下层波导(4)上铺设有中间隔离层(6)，在中间隔离层上设有上层波导(3)，在上层波导(3)上覆盖有上覆盖层(5)，下层波导(4)的任意一侧边界和上层波导(3)的任意一侧边界对齐，且下层波导(4)和上层波导(3)的波导宽度中心错位大于0小于5μm。
2.根据权利要求1所述的立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，下层波导(4)和上层波导(3)左侧边界对齐。
3.根据权利要求1所述的立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，下层波导(4)和上层波导(3)右侧边界对齐且具有双向对称性。
4.根据权利要求1所述的立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，下层波导(4)和上层波导(3)具有相同高度，不同宽度。
5.根据权利要求1所述的立体硅基模式复用器与解复用器，其特征在于，下层波导(4)包括第一干路波导段(401)、第二干路波导段(402)和第三干路波导段(403)，用于实现不同高阶模式复用与解复用；上层波导(3)包括第一输入波导(301)、第二输入波导(302)和第三输入波导(303)；第一输入波导(301)任意一侧边界与第一干路波导段(401)任意一侧边界对齐，第二输入波导(302)任意一侧边界与第二干路波导段(402)任意一侧边界对齐，第三输入波导(303)任意一侧边界与第三干路波导段(403)任意一侧边界对齐；各下层波导(4)排列成排且各下层波导的宽度依其排列顺序渐变，并利用锥形波导连接。
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