[实用新型]基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅

权利要求书

1.一种基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，所述光栅包括衬底(1)和光栅层(4)，并且衬底(1)上依次镀制有反射膜(2)、氧化物介质膜连接层(3)，并在光栅层刻蚀光栅槽结构；所述反射膜(2)为折射率调控多层介质薄膜，该反射膜(2)包括高折射率材料薄膜(2-1)和低折射率材料薄膜(2-2)；

所述低折射率材料薄膜(2-2)的低折射率镀膜材料为SiO₂,所述高折射率材料薄膜(2-1)的高折射率材料为Ta₂O₅或HfO₂，所述氧化物介质膜连接层(3)的材料为SiO₂。

2.如权利要求1所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，所述衬底(1)为熔石英衬底，所述光栅层(4)为折射率调控多层介质膜光栅层。

3.如权利要求1所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，所述反射膜(2)及所述光栅层(4)由离子束溅射双元拼接靶材的方法制备，材料体系为SiO₂:Ta₂O₅或SiO₂:HfO₂。

4.如权利要求3所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，在膜层镀制过程中,调节离子源和靶材之间的空间位置，实现膜层中高低折射率材料的混合比例控制。

5.如权利要求4所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，进一步的，所述反射膜(2)的折射率调控趋势为随光栅刻蚀深度递增。

6.如权利要求4所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，所述光栅层(4)的槽型结构为矩形槽或梯形槽，光栅周期为1300线/mm，刻蚀深度小于1um，占空比范围为0.3～0.7。

7.如权利要求6所述的基于折射率调控薄膜的偏振无关反射式介质光栅，其特征在于，所述光栅周期不大于769nm。