[实用新型]一种异质结太阳能电池有效
| 申请号： | 201820908239.2 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208608214U | 公开（公告）日： | 2019-03-15 |
| 发明（设计）人： | 蓝仕虎 | 申请（专利权）人： | 君泰创新（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/074;H01L31/0352;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 陈丹;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 异质结太阳能电池 透明导电氧化物薄膜 单晶硅片 掺杂区 掺杂 本征 薄膜 导电性 电池效率 短路电流 光透过率 填充因子 电极 申请 电池 保证 | ||
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，所述异质结太阳能电池包括：
单晶硅片；
设置在所述单晶硅片的第一面和第二面上的本征薄膜；
设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述本征薄膜上的掺杂层；
设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述掺杂层上的透明导电氧化物薄膜；以及
设置在所述单晶硅片的第一面和第二面的所述透明导电氧化物薄膜上的电极；
其中，所述单晶硅片的第一面和第二面中的至少一面上的所述掺杂层包括不同掺杂浓度的掺杂区，并且所述不同掺杂浓度的掺杂区均与所述透明导电氧化物薄膜相接触。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其中，所述不同掺杂浓度的掺杂区包括A掺杂区和B掺杂区，所述A掺杂区的掺杂浓度小于所述B掺杂区的掺杂浓度，并且所述B掺杂区的位置与所述电极的位置相对应。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于非电极区域，所述B掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于电极区域。
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区设置在所述本征薄膜上，所述B掺杂区设置在所述A掺杂区上并且位于电极区域。
5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其中，在所述异质结太阳能电池的第一面上，所述A掺杂区设置在所述异质结太阳能电池的本征薄膜上并且位于非电极区域，所述B掺杂区设置在所述本征薄膜上并且位于电极区域；和/或在所述异质结太阳能电池的第二面上，所述A掺杂区设置在所述异质结太阳能电池的本征薄膜上，所述B掺杂区设置在所述A掺杂区上并且位于电极区域。
6.根据权利要求2-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区和所述B掺杂区均为n型掺杂区；或者，所述A掺杂区和所述B掺杂区均为p型掺杂区。
7.根据权利要求2-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述A掺杂区的厚度为1～15nm，所述B掺杂区的厚度为1～25nm。
8.根据权利要求2-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述掺杂层为非晶硅掺杂层或者微晶硅掺杂层。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述本征薄膜的厚度为1～20nm。
10.根据权利要求1-5中任一项所述的异质结太阳能电池，其中，所述单晶硅片的厚度为50～300μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
