[实用新型]双谐振器声波拉伸应变传感器芯片

权利要求书

1.一种双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其特征在于，包括结构完全相同的第一谐振器(1)和第二谐振器(2)，所述第一谐振器(1)和第二谐振器(2)相互垂直放置且各自的声波传播方向不通过对方谐振器区域；

还包括压电层(3)、底电极(4)与基底层(5)；

在所述基底层(5)上形成有所述底电极(4)，在所述底电极(4)上形成有所述压电层(3)，在所述压电层(3)上形成有所述第一谐振器(1)和第二谐振器(2)。

2.根据权利要求1所述的双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其特征在于，所述第一谐振器(1)和第二谐振器(2)制作在同一压电层(3)上。

3.根据权利要求1所述的双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其特征在于，第一谐振器的声波传播方向(16)与待测主应变方向(19)垂直；第二谐振器的声波传播方向(17)与待测主应变方向(19)平行。

4.根据权利要求1所述的双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其特征在于，从基底层(5)背部深刻蚀，于基底层(5)顶部形成一层薄膜，构成兰姆波器件；或者选择在基底层(5)背部不刻蚀，构成声表面波器件。

5.根据权利要求1所述的双谐振器声波拉伸应变传感器芯片，其特征在于，叉指换能器和反射栅组成声波单端谐振器、声波双端谐振器或声波延迟线。