[实用新型]超结金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201820904845.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN208489200U | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 许海东 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛 |
| 地址： | 211106 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源极 漏极 栅极多晶硅 多晶硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 栅氧 绝缘层 本实用新型 超结 多晶硅接触 源极间电压 边缘区域 电容组合 反馈信号 间隔区域 有效缓解 源极电阻 栅极电容 中部区域 沟道区 接触孔 外延层 重掺杂 晶体管 衬底 减小 源区 引入 | ||
1.一种超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：
重掺杂衬底，具有第一导电类型；
外延层，覆设于所述重掺杂衬底上，具有所述第一导电类型，且所述外延层的边缘区域开设有沟槽；
深结，填充设置于所述沟槽，且具有第二导电类型；所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；
沟道区，形成于所述深结的远离所述重掺杂衬底的端部区域、所述外延层的远离所述重掺杂衬底的端部区域的边缘部分、及部分的所述深结与所述外延层的邻接区域，且具有所述第二导电类型；
栅氧区，覆设于所述外延层的远离所述重掺杂衬底的端部区域和部分的所述沟道区；
栅极多晶硅，覆设于所述栅氧区的边缘区域；
源极多晶硅，覆设于所述栅氧区的中部区域，且所述源极多晶硅与所述栅极多晶硅之间具有间隔区域；
有源区，具有所述第一导电类型，形成于所述沟道区，且接触所述栅氧区设置；
绝缘层，覆设于所述源极多晶硅、所述栅极多晶硅、所述间隔区域及部分的所述有源区；
源极，覆设于所述有源区、所述绝缘层及所述沟道区上，且通过开设于所述绝缘层的接触孔与所述源极多晶硅接触；及
漏极，覆设于所述重掺杂衬底上远离所述外延层的一侧。
2.如权利要求1所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述接触孔的个数为多个。
3.如权利要求2所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述接触孔的个数为两个，两个所述接触孔分别位于所述绝缘层的长边方向上的不同两端。
4.如权利要求1所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧区的厚度范围为至
5.如权利要求1所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述外延层的厚度范围为20μm至60μm。
6.如权利要求1所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述深结的深度范围为16μm至56μm。
7.如权利要求1所述的超结金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述第一导电类型为N型。
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