[实用新型]一种霍尔传感器引线框架

说明书

本实用新型公开了一种一种霍尔传感器引线框架，包括框架本体和霍尔感应区，所述霍尔感应区设置在框架本体上，所述霍尔感应区所在的位置设置有霍尔感应凹槽，所述霍尔感应区位于霍尔感应凹槽内。所述霍尔感应区上端设置有密封塑料体。本实用新型的优点：由于在框架本体上设置凹槽，将霍尔感应区设置在凹槽内，使得框架可以采用铁质，从而能够有效的减少成本，并且采用塑料密封，能够防止霍尔传感器因为单边为铁框架而出现霍尔感应效应失效或减弱的情况。

技术领域

本实用新型涉及霍尔传感器，特别涉及一种霍尔传感器引线框架。

背景技术

霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

现有技术中用于生产霍尔传感器均使用铜材料框架进行封装产品，使用铜框架，可以有效防止霍尔效应被引线框架屏蔽，而实际封装生产过程，铜的引线框架在生产过程成本占比较大，极大增加了产品的成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够有效的减少生产设备成本的霍尔传感器引线框架。

为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种霍尔传感器引线框架，包括框架本体和霍尔感应区，所述霍尔感应区设置在框架本体上，所述霍尔感应区所在的位置设置有霍尔感应凹槽，所述霍尔感应区位于霍尔感应凹槽内。

进一步的，所述霍尔感应区上端设置有密封塑料体。

采用上述技术方案，由于在框架本体上设置凹槽，将霍尔感应区设置在凹槽内，使得框架可以采用铁质，从而能够有效的减少成本，并且采用塑料密封，能够防止霍尔传感器因为单边为铁框架而出现霍尔感应效应失效或减弱的情况。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。此外，下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

本具体实施方式披露了一种霍尔传感器引线框架，包括框架本体1和霍尔感应区4，所述霍尔感应区4设置在框架本体1上，所述霍尔感应区4所在的位置设置有霍尔感应凹槽2，所述霍尔感应区4位于霍尔感应凹槽2内。所述霍尔感应区4上端设置有密封塑料体3。由于将感应区设置在霍尔感应凹槽2内，能够有效的避开了铁对霍尔感应点的屏蔽，使得框架可以采用铁质，从而能够有效的减少成本。并且通过密封塑料体3进行密封，能够防止霍尔传感器因为单边为铁框架而出现霍尔感应效应失效或减弱的情况。

以上结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但本实用新型不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本实用新型的保护范围内。