[实用新型]一种磁体有效
| 申请号： | 201820896301.0 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN208226685U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 丁晓华;吴志坚;代华进 | 申请（专利权）人： | 成都银河磁体股份有限公司 |
| 主分类号： | H02K1/06 | 分类号： | H02K1/06 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;庞启成 |
| 地址： | 611731 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 区域对应 安装区域 壁厚减薄 减薄区域 本实用新型 磁体安装 磁体制造 工作要求 磁材料 等壁厚 磁场 申请 节约 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种磁体，其特征在于：所述磁体上具有至少两个磁峰区域，所述磁峰区域之间存在有磁谷区域，所述磁谷区域对应磁体的厚度小于所述磁峰区域对应磁体的厚度。
2.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于：所述磁体上的减薄区域位于所述磁体的安装区域上。
3.根据权利要求1所述的磁体，其特征在于：所述磁体为中空的筒状结构，所述磁体的减薄区域位于所述磁体的内壁。
4.根据权利要求3所述的磁体，其特征在于：在绕所述磁体中心轴线的圆周方向上，所述磁体的磁通密度呈正弦分布，所述磁体的磁峰区域与所述磁通密度的波峰区域相对应，所述磁体的磁谷区域与所述磁通密度的波谷区域相对应。
5.根据权利要求4所述的磁体，其特征在于：所述磁谷区域对应的所述磁体内壁为沿磁体轴向的平面。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的磁体，其特征在于：所述磁体厚度由所述磁峰区域朝向磁谷区域逐渐变薄。
7.根据权利要求6所述的磁体，其特征在于：所述磁峰区域对应的所述磁体内壁为弧面状。
8.根据权利要求6所述的磁体，其特征在于：所述磁峰区域对应的所述磁体与所述磁谷区域对应的所述磁体之间为平滑过渡。
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