[实用新型]太阳能电池有效
| 申请号: | 201820893330.1 | 申请日: | 2018-06-08 |
| 公开(公告)号: | CN207834314U | 公开(公告)日: | 2018-09-07 |
| 发明(设计)人: | 张鹏举;李胜春;谈笑天;鱼志坚;苏志倩;张雨 | 申请(专利权)人: | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/046;H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京尚伦律师事务所 11477 | 代理人: | 张莉 |
| 地址: | 101407 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 衬底基板 第二电极 第一电极 电极层 光电层 薄膜封装 电连接 背离 本实用新型 表面平坦度 发电效率 工艺难度 窗口层 电绝缘 开口率 | ||
本实用新型是关于一种太阳能电池。该太阳能电池包括:衬底基板;电极层组,位于衬底基板的表面,该电极层组包括第一电极和第二电极,第一电极与第二电极之间电绝缘;光电层,位于电极层组背离衬底基板的一侧且与第一电极电连接,该光电层中设有第一过孔,第一过孔的位置与第二电极的位置相对应;窗口层,位于光电层背离衬底基板的一侧且通过第一过孔与第二电极电连接。该技术方案可增大太阳能电池的开口率,以便于提升其发电效率,同时还能改善太阳能电池的表面平坦度,以便于降低薄膜封装的工艺难度并提升薄膜封装的效果。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池。
背景技术
近些年来,日渐突出的传统能源问题促进了新能源的迅速发展,尤其是以太阳能为代表的清洁能源受到了高度的重视和广泛的关注。由于太阳能电池组件中的核心材料对于水汽十分敏感,而暴露在大气环境中很容易造成其发电效率的衰减,因此采用有效的封装结构对于保证太阳能电池组件的发电效率以及使用寿命十分重要。
目前常见的封装结构包括外贴式封装结构以及有机薄膜和无机薄膜的交替叠层封装结构,但其封装效果以及封装工艺的难易程度不可避免的会受到太阳能电池的表面平整度的影响,因此保证太阳能电池的表面平坦化对于封装效果十分重要。
实用新型内容
为克服相关技术中存在的问题,本实用新型实施例提供一种太阳能电池。该技术方案如下:
根据本实用新型实施例的第一方面,提供一种太阳能电池,包括:
衬底基板;
电极层组,位于所述衬底基板的表面,所述电极层组包括第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第二电极之间电绝缘;
光电层,位于所述电极层组背离所述衬底基板的一侧且与所述第一电极电连接,所述光电层中设有第一过孔,所述第一过孔的位置与所述第二电极的位置相对应;
窗口层,位于所述光电层背离所述衬底基板的一侧且通过所述第一过孔与所述第二电极电连接。
在一个实施例中,所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二电极在所述衬底基板上的正投影不重叠。
在一个实施例中,所述第一电极与所述第二电极位于同一层,所述第一电极与所述第二电极之间相隔预设间距。
在一个实施例中,所述第一电极位于所述第二电极背离所述衬底基板的一侧,所述电极层组还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的绝缘层;
其中,所述绝缘层中设有第二过孔,所述第一电极中设有第三过孔,所述第一过孔、所述第二过孔、以及所述第三过孔的位置正对。
在一个实施例中,所述第一电极和所述第二电极的材质相同。
在一个实施例中,所述第一电极和所述第二电极均为金属电极。
在一个实施例中,所述窗口层通过构成该窗口层的透明导电薄膜或者焊锡与所述第二电极电连接。
在一个实施例中,所述太阳能电池还包括位于所述窗口层背离所述衬底基板一侧的封装层。
在一个实施例中,所述封装层包括:
平坦层,位于所述窗口层背离所述衬底基板的一侧;
保护层,位于所述平坦层背离所述衬底基板的一侧。
在一个实施例中,所述平坦层包括有机平坦层,所述保护层包括无机保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉能新材料科技有限公司,未经汉能新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820893330.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种MWT太阳能电池结构
- 下一篇:一种光伏防眩光增效反光贴膜及光伏电池组件
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





