[实用新型]一种半导体晶片的清洗装置

权利要求书

1.一种半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述装置包括电解槽和反应槽，电解槽内设有阴极金属板和阳极，阴极金属板外套装有隔膜，阳极的上端位于阴极金属板上端的下方，电解槽的底面装接有回流管，该回流管上设有泵体，回流管与反应槽连接，反应槽侧壁设有位于回流管上方溢流孔，该溢流孔装接有溢流管，溢流管的出口端延伸至电解槽上部。

2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述回流管与反应槽的底面连接并伸入反应槽中，反应槽内设有与回流管装接的分散管。

3.根据权利要求2所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述反应槽的侧壁设有紫外灯。

4.根据权利要求3所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述反应槽上还设有槽盖，该槽盖上设有紫外灯。

5.根据权利要求4所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述反应槽内或外壁还设有加热器。

6.根据权利要求5所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述溢流管的出口端延伸至电解槽的阴极金属板上端的区域。

7.根据权利要求6所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述溢流管的出口端还装接有液体分散管路。

8.根据权利要求7所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述电解槽内设有覆盖着回流管的过滤组件。

9.根据权利要求8所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述溢流管上设有泵。

10.根据权利要求9所述的半导体晶片的清洗装置，其特征在于，所述阳极为渡金刚石阳极。