[实用新型]一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路

说明书

本实用新型公开了一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路，所述稳压器的输出端与第一MOS管的漏极连接，第一MOS管的栅极与第二MOS管的漏极连接，第二MOS管的栅极通过第六电阻与控制信号输入端连接，第一MOS管的栅极还与第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极通过第三电阻与稳压器的输出端连接并且第三MOS管的源极与地线连接；所述第六电阻两端并联第一二极管，所述第一二极管的正极与第二MOS管的栅极连接，所述所述第二MOS管的源极分别通过第五电阻和第六电容与第二MOS管的栅极连接，形成延迟控制电路。本实用新型通过稳压器及三个MOS管形成上电缓启和断电快速泄放的电路，能够有效的提高产品质量，降低故障率及综合成本。

技术领域

本实用新型涉及电源开关领域，尤其涉及一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路。

背景技术

MOS是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。在弱电板级供电系统中，MOS管以其便利的控制方式和优异的导通性能，常常被用作某一功能电路的电源开关；然而针对MOS开关电路的设计，通常是简单地利用MCU控制MOS管栅极(G极)。

而实际情况中，若MOS开关后端电路是容性负载，比如后端电路有较大的滤波电容，此时若简单地控制G极上电，将导致相当大的冲击电流，此冲击电流会瞬间拉低系统电压而导致系统出现工作异常，亦可能导致开关管过流损坏，以及EMC问题。

一种容易想到的，简单的解决办法是增大MOS管G极电阻，减缓MOS管G极电压上升的速率，从而增大MOS管在开关过程中从截止到完全导通的过渡时间，实现缓启；此方法确实可有效延长上电时间，但这会使MOS管处于过渡区时间过长，且此过渡区往往具有较大的电压差，从而导致MOS管要在缓启段承受较大的耗散功率，极端情况将会损坏MOS管。另外，一些容性系统在断电后若马上上电，将导致不能正常重启而导致故障，这是因为断电后电容电量并没有及时泄放至重启电压以下，此时再上电将无法触发重启。所以现有的控制MOS开关的方式要么没有对断电后的电量泄放进行任何控制，仅仅是简单的切断供电，要么仅仅简单地在后级电源和地间引入固定的泄放电阻，无论上电还是下电，此电阻均要消耗能量。所以现阶段需要一种能够实现可控的负载上电并且可在断电后加速电量泄放的电路设计，以满足快速上电和断电的需求，并且不会带来额外的能量损耗，以提高产品质量，降低故障率及综合成本。

实用新型内容

本实用新型的目的是，提供一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路，能够有效的提高产品质量，降低故障率及综合成本。

为实现该目的，提供了一种基于MOS管实现上电缓启和断电快速泄放的电路，包括用于与控制器连接的控制信号输入端、用于与外部电源连接的电源输入端、分别与控制信号输入端和电源输入端连接的稳压器，所述稳压器的输出端与第一MOS管的漏极连接，所述第一MOS管的源极与电源输入端连接并且第一MOS管的栅极与第二MOS管的漏极连接，所述第二MOS管的源极与地线连接并且第二MOS管的栅极通过第六电阻与控制信号输入端连接，所述第一MOS管的栅极通过第七电阻与电源输入端连接并且第一MOS管的栅极还与第三MOS管的栅极连接，所述第三MOS管的漏极通过第三电阻与稳压器的输出端连接并且第三MOS管的源极与地线连接，所述第三MOS管的源极还通过第四电阻与第三MOS管的栅极连接连接；所述第六电阻两端并联第一二极管，所述第一二极管的正极与第二MOS管的栅极连接，所述所述第二MOS管的源极分别通过第五电阻和第六电容与第二MOS管的栅极连接，形成延迟控制电路；所述稳压器的输出端依次通过第二电阻和第一电阻与地线连接，所述稳压器的可调端与第二电阻和第一电阻的连接端进行连接。

优选地，所述电源输入端分别通过第二电容和第三电容与地线连接，所述稳压器的输出端分别通过第四电容和第五电容与地线连接。