[实用新型]一种功率驱动集成电路有效

专利信息
申请号: 201820876225.7 申请日: 2018-06-07
公开(公告)号: CN208208752U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 吕绍明 申请(专利权)人: 深圳市南芯微电子有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/78
代理公司: 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙) 11221 代理人: 王卫东
地址: 518000 广东省深圳市龙华新*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 芯片 引线连接 同组 引脚 功率驱动集成电路 本实用新型 基岛 分立器件芯片 集成电路设计 单一芯片 功率驱动 连接方式 直流电机 制造工艺 大电流 内阻抗 单管 两组 桥联 封装 集成电路 构架 制作
【权利要求书】:

1.一种功率驱动集成电路,其特征在于,包括基岛和设置在所述基岛上的两组芯片以及多个引脚,每组所述芯片为两个,且同组的两个所述芯片之间通过引线连接,同组的其中一个所述芯片与其中一个所述引脚通过引线连接,同组的另一个所述芯片通过两个引线与其中两个所述引脚连接。

2.根据权利要求1所述的一种功率驱动集成电路,其特征在于,两组所述芯片包括P-MOS管芯片组和N-MOS管芯片组,所述P-MOS管芯片组包括并列设置的第一P-MOS管芯片、第二P-MOS管芯片,所述第一P-MOS管芯片、第二P-MOS管芯片之间通过引线连接,所述N-MOS管芯片组包括第一N-MOS管芯片、第二N-MOS管芯片,所述第一N-MOS管芯片、第二N-MOS管芯片之间通过引线连接。

3.根据权利要求2所述的一种功率驱动集成电路,其特征在于,所述第一P-MOS管芯片包括第一P-MOS管芯片本体和设置在所述第一P-MOS管芯片本体上的第一栅极控制脚,所述第二P-MOS管芯片包括第二P-MOS管芯片本体和设置在所述第二P-MOS管芯片本体上的第二栅极控制脚,所述第一P-MOS管芯片本体、第一栅极控制脚分别通过引线与其中两个所述引脚连接,所述第二栅极控制脚通过引线与其中一个所述引脚连接,所述第一N-MOS管芯片包括第一N-MOS管芯片本体和设置在所述第一N-MOS管芯片本体上的第三栅极控制脚,所述第二N-MOS管芯片包括第二N-MOS管芯片本体和设置在所述第二N-MOS管芯片本体上的第四栅极控制脚,所述第三栅极控制脚通过引线与其中一个所述引脚连接,所述第二N-MOS管芯片本体、第四栅极控制脚分别通过引线与其中两个所述引脚连接。

4.根据权利要求3所述的一种功率驱动集成电路,其特征在于,所述引脚为八个,包括由左至右依次设置在两组所述芯片下方的第一引脚、第二引脚、第三引脚和第四引脚,以及由右至左依次设置在两组所述芯片上方的第五引脚、第六引脚、第七引脚和第八引脚,

所述第一引脚和所述第三栅极控制脚连接;

所述第二引脚设置在所述基岛上;

所述第三引脚与所述第二N-MOS管芯片本体连接;

所述第四引脚与所述第四栅极控制脚连接;

所述第五引脚与所述第二栅极控制脚连接;

所述第六引脚设置在所述基岛上;

所述第七引脚与所述第一P-MOS管芯片本体连接;

所述第八引脚与所述第一栅极控制脚连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市南芯微电子有限公司,未经深圳市南芯微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820876225.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top