[实用新型]集成电路电容器及半导体器件

权利要求书

1.一种集成电路电容器，其特征在于，包括：节点接触、位于所述节点接触上的第一电极板、位于所述第一电极板上的电容层结构以及位于所述电容层结构上的第二电极板，其中，所述电容层结构包括一结晶相的电容介质主层、连续设置的多层非结晶相的电容介质子层、以及位于相邻所述电容介质子层之间及位于所述电容介质主层与所述电容介质子层之间的多层电流抑制子层，所述电容层结构还包括一电流抑制主层，位于所述电容介质主层与由所述第一电极板和所述第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间，并且所述电容介质主层的单层厚度大于所述电容介质子层的总厚度，所述电流抑制主层的单层厚度大于所述电流抑制子层的单层厚度。

2.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电流抑制主层位于所述电容介质主层与所述第一电极板之间，所述电流抑制主层具有结晶相单层结构，所述电流抑制子层具有非结晶相单层结构。

3.如权利要求2所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电流抑制子层与所述电容介质子层的总厚度大于所述电流抑制主层的总厚度。

4.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电流抑制主层位于所述电容介质主层与所述第一电极板之间，所述电流抑制主层具有非结晶相单层结构，所述电流抑制子层具有非结晶相单层结构。

5.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电流抑制主层位于所述电容介质主层与所述第二电极板之间，所述电流抑制主层具有非结晶相单层结构，所述电流抑制子层具有非结晶相单层结构。

6.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电流抑制主层位于所述电容介质主层与所述第一电极板之间，所述电流抑制主层具有连续设置且多层电容介质子层和多层电流抑制子层相互交替交迭的非结晶相多层结构，所述电流抑制子层具有非结晶相单层结构。

7.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电容介质主层与所述电容介质子层具有相同材质，且所述电容介质主层与所述电容介质子层的材质均包括氧化锆或氧化铪；所述电流抑制主层的材质包括氧化铝；所述电流抑制子层的材质包括氧化铝。

8.如权利要求1所述的集成电路电容器，其特征在于，每层所述电容介质子层的厚度小于等于3.5nm。

9.如权利要求8所述的集成电路电容器，其特征在于，所述电容介质子层和所述电流抑制子层的总厚度小于等于所述电容层结构的厚度40％。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一基板，以及位于所述基板上的集成电路电容器；

所述集成电路电容器包括位于所述基板上的第一电极板，位于所述第一电极板上的电容层结构以及位于所述电容层结构上的第二电极板，其中，所述电容层结构包括一结晶相的电容介质主层、连续设置的多层非结晶相的电容介质子层、以及位于相邻所述电容介质子层之间及位于所述电容介质主层与所述电容介质子层之间的多层电流抑制子层，所述电容层结构还包括一电流抑制主层，位于所述电容介质主层与由所述第一电极板和所述第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间，并且所述电容介质主层的单层厚度大于所述电容介质子层的总厚度，所述电流抑制主层的单层厚度大于所述电流抑制子层的单层厚度。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极板具有U形剖切轮廓，所述电容层结构和所述第二电极板依次形成于所述第一电极板的直立侧壁的内外表面。