[实用新型]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一桥臂单元，所述第一桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第一功率金属敷层、第一辅助金属敷层和第二功率金属敷层；所述第二功率金属敷层设有第一功率开关，所述第一功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接；所述第一辅助金属敷层与所述第一功率金属敷层、所述第二功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第一功率开关信号连接；其中，

所述第一功率开关包括第一开关组、第二开关组和第三开关组，所述第一开关组、第二开关组和第三开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第一开关组的晶体管芯片和所述第三开关组的晶体管芯片分别靠近所述第一辅助金属敷层设置，所述第二开关组的晶体管芯片远离所述第一辅助金属敷层设置。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，还包括第二桥臂单元，所述第二桥臂单元包括沿第一方向依次设置的第三功率金属敷层、第二辅助金属敷层和第四功率金属敷层；所述第三功率金属敷层设有第二功率开关，所述第三功率金属敷层通过所述第一功率开关与所述第二功率金属敷层导电连接，所述第四功率金属敷层通过所述第二功率开关与所述第三功率金属敷层导电连接；所述第二辅助金属敷层与所述第三功率金属敷层、所述第四功率金属敷层绝缘设置，并且与所述第二功率开关信号连接；其中，

所述第二功率开关包括第四开关组、第五开关组和第六开关组，所述第四开关组、第五开关组和第六开关组依次沿第二方向并排设置，开关组分别包括沿所述第一方向设置并且相互连接的晶体管芯片和二极管芯片，所述第四开关组的晶体管芯片和所述第六开关组的晶体管芯片分别靠近所述第二辅助金属敷层设置，所述第五开关组的晶体管芯片远离所述第二辅助金属敷层设置。

3.如权利要求1或2所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述晶体管芯片和所述二极管芯片沿所述第一方向分别设有两组功率电极，所述晶体管芯片和所述二极管芯片相互靠近的一组的功率电极用于相互连接，所述晶体管芯片和所述二极管芯片相互远离的一组的功率电极用于与功率金属敷层导电连接。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述晶体管芯片设有控制电极，所述第一辅助金属敷层通过所述晶体管芯片的控制电极与所述第一开关组、第二开关组和第三开关组信号连接。

5.如权利要求4所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一辅助金属敷层上设有第一栅极信号端子，所述第一开关组和所述第二开关组的晶体管芯片的控制电极分别设置靠近所述第三开关组的一侧，所述第三开关组的晶体管芯片的控制电极设置于靠近所述第二开关组的一侧；所述第一开关组的晶体管芯片的控制电极与所述第一辅助金属敷层信号连接，所述第二开关组的晶体管芯片的控制电极与所述第三开关组的晶体管芯片的控制电极连接后与所述第一辅助金属敷层信号连接。

6.如权利要求5所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一功率金属敷层上与所述第一栅极信号端子对应的位置设有第一发射极控制电极。

7.如权利要求2所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述晶体管芯片设有控制电极，所述第二辅助金属敷层通过所述晶体管芯片的控制电极与所述第四开关组、第五开关组和第六开关组信号连接。

8.如权利要求7所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第二辅助金属敷层靠近所述第四开关组的一端设有第二栅极信号端子，所述第四开关组的晶体管芯片的控制电极设置于靠近所述第五开关组的一侧，所述第五开关组和第六开关组的晶体管芯片的控制电极分别设置靠近所述第四开关组的一侧；所述第五开关组的晶体管芯片的控制电极与所述第四开关组的晶体管芯片的控制电极连接后与所述第二辅助金属敷层信号连接，所述第六开关组的晶体管芯片的控制电极与所述第二辅助金属敷层信号连接。

9.如权利要求8所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第四功率金属敷层上与所述第二栅极信号端子对应的位置设有第二发射极信号端子。

10.一种功率半导体模块，其特征在于，包括如权利要求1-9所述的功率半导体模块衬底。