[实用新型]一种集成电路芯片键合吸附装置有效
| 申请号： | 201820867447.2 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN208315527U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 李卫国;李明达;谭威;刘铁装 | 申请（专利权）人： | 江门市华凯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京卓特专利代理事务所(普通合伙) 11572 | 代理人： | 段宇 |
| 地址： | 529100 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸附机构 吸附装置 吸附 集成电路芯片 键合 通孔 本实用新型 抽真空机 机座 上芯 歪斜 顶部边缘 顶部中心 均匀开设 螺纹连接 四周边缘 芯片吸附 有效解决 圆倒角 准确率 | ||
1.一种集成电路芯片键合吸附装置，包括抽真空机机座(1)及通过螺纹连接安装在抽真空机机座(1)上的吸附机构(2)，其特征在于：所述吸附机构(2)的中部为空心，所述吸附机构(2)的顶部中心开设有中心吸附通孔(3)，所述吸附机构(2)的顶部从中心吸附通孔(3)从中心周向到四周边缘均匀开设有若干行辅助吸附通孔(4)，所述吸附机构(2)的顶部边缘为圆倒角。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：若干行所述辅助吸附通孔(4)呈米字型布设在吸附机构(2)的顶部。
3.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述中心吸附通孔(3)及所述辅助吸附通孔(4)的形状为圆孔。
4.根据权利要求3所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述圆孔的半径范围为0.35-0.45mm，所述辅助吸附通孔(4)之间的间距距离范围为1.3-1.6mm。
5.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述抽真空机机座(1)及所述吸附机构(2)之间的螺纹连接处安装有密封胶圈。
6.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述吸附机构(2)的壳体外轮廓形状为圆柱形，所述吸附机构(2)的外壳体上设有若干道向外凸起的筋部(5)。
7.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述真空机机座(1)的输入端还依次连通有传输气道(6)及真空发生器(7)，所述真空机机座(1)、吸附机构(2)、传输气道(6)及真空发生器(7)内的气道互相连通。
8.根据权利要求7所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述真空发生器(7)内还安装有过滤网。
9.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述中心吸附通孔(3)及所述辅助吸附通孔(4)的孔径由内到外逐渐增大。
10.根据权利要求1所述的集成电路芯片键合吸附装置，其特征在于：所述吸附机构(2)的顶部表面为光滑的平面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
