[实用新型]晶圆裂片装置有效
申请号: | 201820865234.6 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN208433376U | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 王伟 | 申请(专利权)人: | 王伟 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;董琳 |
地址: | 200135 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 裂片 裂片装置 晶圆 本实用新型 弧形顶面 支撑机构 种晶 升降 移动 支撑 | ||
本实用新型涉及一种晶圆裂片装置,包括:框架,用于固定待裂片晶圆;裂片头,位于所述框架上方或下方,具有一弧形顶面;支撑机构,支撑所述裂片头,用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。所述裂片装置能够提高裂片效果。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆裂片装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆。在半导体芯片的制作过程中,在晶圆表面形成多个芯片单元,称为晶粒。在制作过程中,需要对晶圆进行切割将晶圆分割成多个晶粒。
激光切割是一种常用的方式,具体的,在晶圆背面贴膜之后,使用激光对晶圆的晶粒与晶粒之间的切割道上进行激光划片,形成横纵交错的多条切割线;然后通过裂片装置将晶粒分裂,形成多个独立的晶粒。
现有技术中对晶圆进行裂片通常采用裂片刀沿着切割线进行裂片,容易造成晶粒边缘崩裂,并且,对于切割线的形状有特殊要求,裂片效率较低。并且,在裂片时,由于不同方向不是同时裂片,晶粒不同方向上收到的应力不同,容易从贴膜上脱落,造成损伤。为了避免晶粒在裂片过程中脱落,通常需要采用特殊的保护膜,成本较高。
因此,需要提出一种新的裂片装置来克服上述问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种晶圆裂片装置,提高裂片的效率减少晶粒损伤。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆裂片装置,包括:框架,用于固定待裂片晶圆;裂片头,位于所述框架上方或下方,具有一弧形顶面;支撑机构,支撑所述裂片头,用于带动所述裂片头升降以及带动所述裂片头在水平面内移动。
可选的,包括:所述裂片头为球形、半球形、圆柱形、弧形棍或曲面层。
可选的,所述裂片头在晶圆表面的投影小于晶圆的尺寸。
可选的,所述裂片头的弧形顶面的曲率为15/m~120/m。
可选的,所述支撑机构用于带动所述裂片头在水平面内作圆周运动。
可选的,所述圆周运动的角速度为5°/s~100°/s。
可选的,所述支撑机构还用于带动所述裂片头绕轴心旋转。
可选的,所述裂片头绕轴心旋转的转速为5°/s~100°/s。
可选的,还包括驱动机台,所述支撑机构另一端固定于所述驱动机台,由所述驱动机台驱动以带动所述裂片头移动。
本实用新型的裂片装置包括一具有弧形顶面,通过所述弧形顶面顶起晶圆,撑开晶圆背面的保护膜,从而使得晶圆的晶粒之间裂开,由于所述晶圆具有弧形顶面,对于作用点各个方向都能施加作用力,使得横向和纵向的切割道同时裂开,因此对于切割道的形状要求不高,对于特殊的曲线形、倾斜的各种切割道都能实现裂片;由于作用点处的保护膜受到各个方向的作用力,各方向受力较为均匀,可以避免晶粒从保护膜上翘起等问题,因此,对于保护膜的要求较低,从而可以使用成本更低的保护膜。进一步的,由于可以同时对各个方向的切割道进行裂片,因此与现有的采用单方向的裂片刀裂片方式相比,可以提高裂片效率,提高产能。
附图说明
图1为本实用新型一具体实施方式的晶圆裂片装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型提供的晶圆裂片装置的具体实施方式做详细说明。
请参考图1,为本实用新型一具体实施方式的晶圆裂片装置的具体结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造