[实用新型]一种势垒高度可调的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201820838309.1 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208336238U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 姚伟明;金银萍;陆阳 | 申请（专利权）人： | 扬州国宇电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒 势垒金属硅化物 肖特基二极管 本实用新型 高度可调 掺杂层 外延层 主表面 背面金属层 二极管芯片 肖特基势垒 正面金属层 衬底正面 高度调节 势垒金属 市场需求 肖特基 衬底 结温 背面 芯片 生长 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种势垒高度可调的肖特基二极管，其特征在于，包括N型重掺杂衬底，所述N型重掺杂衬底正面生长有N型轻掺杂外延层，背面设有背面金属层，所述N型轻掺杂外延层的主表面设有变掺杂层，所述变掺杂层的主表面设有势垒金属硅化物层，且势垒金属硅化物层构成肖特基势垒，所述势垒金属硅化物层正面设有正面金属层。
2.根据权利要求1所述的一种势垒高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述N型轻掺杂外延层正面还设有一圈P重掺杂保护环，且所述变掺杂层设置在所述P重掺杂保护环的环内以及P重掺杂保护环表面的部分区域。
3.根据权利要求2所述的一种势垒高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述P重掺杂保护环的表面的另一部分区域设有薄氧层。
4.根据权利要求3所述的一种势垒高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述N型轻掺杂外延层表面还设有场氧层，且场氧层位于所述P重掺杂保护环外侧。
5.根据权利要求4所述的一种势垒高度可调的肖特基二极管，其特征在于，所述正面金属层设置在所述薄氧层、场氧层和势垒金属硅化物层表面。
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