[实用新型]高电源抑制比快速响应的LDO电路

权利要求书

1.一种高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，包括误差放大器，电阻R1、R2，MOS管Mp、M1、M2、M3，电容C1、CL，所述误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接，误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接，并作为整个LDO电路的输出端，误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接，M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD，M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接，M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND，M3的控制端连接作为偏置电压输入端，CL的另一端连接至GND。

2.根据权利要求1所述的高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，Mp在LDO电路中为功率管。

3.根据权利要求1所述的高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，M1、M2构成负反馈网络。

4.根据权利要求1所述的高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，R1、R2构成反馈网络。

5.根据权利要求1所述的高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，所述误差放大器包括第一至第五MOS管，第一MOS管的第一端、第二MOS管的第一端相连接作为误差放大器的负载管端，第一MOS管的第二端、第一MOS管的控制端、第二MOS管的控制端相连接至第三MOS管的第二端，第二MOS管的第二端与第四MOS管的第二端连接作为误差放大器的输出端，第三MOS管的控制端作为误差放大器的第一输入端，第三MOS管的第一端与第四MOS管的第一端相连接至第五MOS管的第二端，第四MOS管的控制端作为误差放大器的第二输入端，第五MOS管的第一端连接至GND，第五MOS管的控制端作为偏置电流输入端。

6.根据权利要求5所述的高电源抑制比快速响应的LDO电路，其特征在于，还包括一用于提供偏置电压、偏置电流的偏置电路。