[实用新型]柔性显示面板有效
申请号: | 201820826602.6 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN208521937U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 许文超 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
地址: | 065000 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性显示面板 有机绝缘层 绝缘层 薄膜晶体管区域 本实用新型 电容绝缘层 电容极板 依次层叠 栅极层 薄膜晶体管 层间绝缘层 栅极绝缘层 电容区域 应力分布 导电层 耐弯折 无机层 背板 弯折 源层 引入 | ||
本实用新型提供了一种柔性显示面板,属于显示技术领域。该柔性显示面板包括:薄膜晶体管区域,包括:依次层叠的有源层、栅极绝缘层、栅极层、电容绝缘层以及有机绝缘层;以及与薄膜晶体管区域连接的电容区域,包括:依次层叠的栅极层、电容绝缘层、电容极板、有机绝缘层以及无机层间绝缘层。本实用新型的实施例通过引入有机绝缘层作为层间绝缘层以及电容极板与其它导电层之间的绝缘层,使得柔性显示面板在弯折时的应力分布可以更加均匀,进而提高了薄膜晶体管背板的韧性,增强了柔性显示面板的耐弯折特性。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种柔性显示面板。
背景技术
在目前量产的柔性显示面板中,驱动开关元器件TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)是基于无机材料的,例如,SiO、SiN和Si等。由于无机材料的耐弯折性能较差,因此经过一定次数弯折后,TFT的性能会发生很大的变化,进而导致发光器件的发光性能改变,影响显示效果。
因此,如何提高TFT的耐弯折特性成为亟待解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例致力于提供一种柔性显示面板,以解决现有技术中柔性显示面板的TFT耐弯折性能较差的问题。
本实用新型一方面提供了一种柔性显示面板,包括:薄膜晶体管区域,包括:依次层叠的有源层、栅极绝缘层、栅极层、电容绝缘层以及有机绝缘层;以及与薄膜晶体管区域连接的电容区域,包括:依次层叠的栅极层、电容绝缘层、电容极板、有机绝缘层以及无机层间绝缘层。
在本实用新型的一个实施例中,柔性显示面板进一步包括无机层间绝缘层,其中无机层间绝缘层形成在有机绝缘层之上。
在本实用新型的一个实施例中,薄膜晶体管区域还进一步包括:两个从薄膜晶体管区域的表面延伸至有源层的过孔;以及分别填充设置在两个过孔中的源极和漏极,其中源极和漏极的底端与有源层形成欧姆接触。
在本实用新型的一个实施例中,有机绝缘层的垂直投影完全覆盖无机层间绝缘层的下表面。
在本实用新型的一个实施例中,电容区域进一步包括栅极绝缘层,栅极层形成在栅极绝缘层之上。
在本实用新型的一个实施例中,有机绝缘层的图案采用光刻的方法进行图形化。
在本实用新型的一个实施例中,有机绝缘层采用的材料包括光刻胶。
在本实用新型的一个实施例中,有机绝缘层的图案采用喷墨打印的方法进行图形化。
在本实用新型的一个实施例中,有机绝缘层采用的材料包括聚酰亚胺、聚乙烯基苯酚、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇、聚苯乙烯和聚a-甲基苯乙烯中的一种或多种的组合。
在本实用新型的一个实施例中,无机层间绝缘层的材料包括SiO和SiN中的一种或多种的组合。
在本实用新型的一个实施例中,柔性显示面板进一步包括依次设置在薄膜晶体管区域和电容区域下方的缓冲层和柔性衬底。
在本实用新型的一个实施例中,在薄膜晶体管区域和电容区域的上方进一步包括:平坦化层、通过平坦化层的通孔与漏极电连接的阳极电极层、部分覆盖阳极电极层的像素定义层、覆盖阳极电极层的未被像素定义层覆盖部分的发光层和覆盖发光层的阴极电极层。
本实用新型的实施例通过引入有机绝缘层作为层间绝缘层以及电容极板与其它导电层之间的绝缘层,使得柔性显示面板在弯折时的应力分布可以更加均匀,进而提高了薄膜晶体管背板的韧性,增强了柔性显示面板的耐弯折特性。
附图说明
图1是根据本实用新型一个实施例的柔性显示面板的结构示意图。
图2是根据本实用新型另一个实施例的柔性显示面板的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的