[实用新型]一种低功耗主备电转换电路有效

专利信息
申请号: 201820821503.9 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN208226670U 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 孙启龙;向东方 申请(专利权)人: 盈帜科技(常州)有限公司
主分类号: H02J9/06 分类号: H02J9/06
代理公司: 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 代理人: 何自刚
地址: 213145 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电转换电路 主备 体二极管 低功耗 电连接 本实用新型 控制模块 外围电路 漏极 阴极 大电流环境 电电源电路 电源连接端 电源输出端 电子元器件 工作稳定性 使用寿命 源极连接 运行功耗 阳极 连接端 源极 发热 能耗
【说明书】:

实用新型公开了一种低功耗主备电转换电路,用于解决现有主备电转换电路能耗过高的技术问题,其结构包括:MOS管Q1、体二极管D3,还包括:控制模块;所述MOS管Q1的漏极连接有备电电源连接端;所述MOS管Q1的漏极与所述体二极管D3的阳极电连接;所述MOS管Q1的源极与所述体二极管D3的阴极电连接;所述MOS管Q1的栅极与所述控制模块电连接;所述MOS管Q1的源极连接有主电电源电路连接端和电源输出端OUT。本实用新型通过提供一种低功耗主备电转换电路,能够更进一步降低现有主备电转换电路的运行功耗,降低大电流环境下电子元器件的发热,有助于延长外围电路的使用寿命,提升外围电路的工作稳定性。

技术领域

本实用新型涉及电路保护技术领域,尤其涉及一种低功耗主备电转换电路。

背景技术

图1所示现有技术中的主备电转换电路,在主电电源电路中连接设置一个二极管D2,在备电电源电路中连接有另一个二极管D1。使用状态下备电电源始终处于接通状态,当主电电源电路接通时,位于二极管D2阳极和阴极的电压差使二极管D2导通,此时二极管D1阴极电压大于阳极电压,二极管D1截止,进而达到仅由主电电源电路供电的技术效果;当主电电源电路未接通时,二极管D2阴极电压大于阳极电压,致使二极管D2截止,此时二极管D1阳极、阴极电压差能够满足二极管D1导通,备电电源开始供电。

现有技术中的主备电转换电路无论主电电源电路还是备电电源电路在处于工作状态时,均存在一个二极管处于导通状态,持续导通的二极管会消耗大量的电能,进而对上述电路的使用能耗造成不良影响。

因此,提供一种主备电转换电路,用于降低上述电路的能耗,就成为本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种低功耗主备电转换电路,用于解决现有主备电转换电路能耗过高的技术问题。

为了实现上述目的:本实用新型提供一种低功耗主备电转换电路,包括MOS管Q1、体二极管D3,还包括:控制模块;所述MOS管Q1的漏极连接有备电电源连接端;所述MOS管Q1的漏极与所述体二极管D3的阳极电连接;所述MOS管Q1的源极与所述体二极管D3的阴极电连接;所述MOS管Q1的栅极与所述控制模块电连接;所述MOS管Q1的源极连接有主电电源电路连接端和电源输出端OUT。

优选地,所述控制模块为单片机或PLC。

优选地,所述体二极管D3为所述MOS管Q1内部结构寄生的体二极管。

优选地,所述MOS管Q1为P沟道MOS管。

本实用新型通过提供一种低功耗主备电转换电路,能够更进一步降低现有主备电转换电路的运行功耗,进而达到节能省电的技术效果;其中,MOS管Q1串联在备电电源与主电电源电路之间,在MOS管Q1的漏极与源极之间寄生连接有体二极管D3;控制模块连接在MOS管Q1的栅极;使用时,备电电源始终处于接通状态,主电电源接通时,控制模块控制MOS管Q1关断截止,受主电电源电压高于备电电源影响,体二极管D3不导通,由主电电源供电;当主电电源未接通时,控制模块控制MOS管Q1导通,备电电源开始供电。由于MOS管Q1及控制模块的能耗远小于二极管,故上述低功耗主备电转换电路在使用状态下相比现有技术发热更少,改进后的低功耗主备电转换电路有助于延长外围电路的使用寿命,提升外围电路的工作稳定性。

附图说明

图1为现有技术中主备电转换电路的电路结构示意图;

图2为本实用新型实施例中低功耗主备电转换电路的电路结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。

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