[实用新型]过压保护电路

说明书

一种过压保护电路，包括：电子开关、储能电容、取样电路、比较器以及驱动电路；所述电子开关用于接入输入电压；所述储能电容与所述电子开关连接，用于在所述电子开关导通时储存电能，并在所述电子开关断电时放电；所述取样电路与所述储能电容连接，用于取样所述储能电容的放电电压；所述比较器分别与所述取样电路、驱动电路连接，所述驱动电路与所述电子开关连接，所述比较器用于接入基准电压以及所述取样电路的取样电压，并将所述取样电压与所述基准电压进行比较，所述取样电压大于基准电压，触发所述驱动电路维持所述电子开关的关断状态；所述比较器还用于在所述取样电压降低至小于所述基准电压，触发所述驱动电路导通所述电子开关。

技术领域

本实用新型涉及过压保护技术领域，特别是涉及一种过压保护电路。

背景技术

直流供电的电路中，电源输入电压经常会有短时过高电压出现，如不加以限制，则过高的输出电压进入到内部电路，会造成电容、半导体等器件过压损坏。

传统的过压保护电路，先采用压敏电阻对输入电压进行初步限压，然后利用一个瞬态抑制二极管将输出电压限制在较低水平。这种过压保护电路只适用于对一般小于1毫秒的瞬时过压进行限制，以对电路过压保护，对于数百个毫秒以上的短时过压，过压保护器件以及电源内部电路就会频繁开关，容易损坏。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种过压保护电路。

一种过压保护电路，包括电子开关、储能电容、比较器以及驱动电路；

所述电子开关用于接入输入电压；

所述储能电容与所述电子开关连接，用于在所述电子开关导通时储存电能，并在所述电子开关断电时放电；

所述比较器分别与所述储能电容、驱动电路连接，所述驱动电路与所述电子开关连接，所述比较器用于接入基准电压以及所述储能电容的放电电压，并将所述放电电压与所述基准电压进行比较，在所述放电电压大于基准电压时，触发所述驱动电路维持所述电子开关的关断状态；所述比较器还用于在所述放电电压降低至小于所述基准电压时，触发所述驱动电路导通所述电子开关。

上述过压保护电路，电子开关的输入电压过压时，可以关断电子开关，储能电容因为储存了电能，可以放电，储能电容放电的过程起码能维持其放电电压在一段时间内高于输入电压，这样也就能使电子开关的关断状态持续一段时间，这样即便电子开关的输入电压在当前时刻过压、在下一时刻又没有过压，电子开关也不会马上从关断状态切换为导通状态，而是会等到储能电容的放电电压不过压时才导通，如此避免短时过压时电子开关突然关断又马上导通时的瞬时冲击对电子开关的危害，过压保护不受过压时间限制，尤其对于突然出现成百上千个短时过压的情况，优势更为明显。而且，利用储能电容的放电电压控制电子开关开关，电子开关的输出电压不会因输入电压过压而增大，可以比较精准的限制电子开关的输出电压。

在其中一个实施例中，所述电子开关为PMOS管Q1，所述驱动电路包括PMOS 管Q2、电容C1以及NMOS管Q3；

所述PMOS管Q1的源极接入所述输入电压，所述PMOS管Q1的源极还与所述PMOS管Q2的源极连接，所述PMOS管Q1的源极还与所述PMOS管Q2的栅极连接，所述PMOS管Q1的源极还通过所述电容C1与所述NMOS管Q3的栅极连接；

所述PMOS管Q1的漏极与所述储能电容连接；

所述PMOS管Q1的栅极与所述PMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极还与所述NMOS管Q3的漏极连接；

所述比较器的输出端分别与所述电容C1、所述NMOS管Q3的栅极连接。

在其中一个实施例中，所述驱动电路还包括电阻R1以及电阻R2；