[实用新型]一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片

权利要求书

1.一种具有透明导电层复合膜组的LED芯片，其特征在于，包括：

衬底和位于所述衬底一侧表面的外延结构、至少一层透明导电层复合膜组、第一电极和第二电极，所述外延结构至少包括依次设置于所述衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；

所述第一电极位于暴露出所述第一半导体层的平台，且与所述第一半导体层电连接；所述第二电极位于所述透明导电层复合膜组表面，且通过所述透明导电层复合膜组与所述第二半导体层电连接；

所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层至少一侧表面的金属层，所述金属层的电阻率小于所述透明导电层的电阻率。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层一侧表面的金属层。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层位于所述第二半导体层的表面，所述金属层位于所述透明导电层的表面。

4.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层位于所述第二半导体层的表面，所述透明导电层位于所述金属层的表面。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层复合膜组包括透明导电层和位于所述透明导电层两侧表面的金属层，其中，第一层金属层位于所述第二半导体层的表面，所述透明导电层位于所述第一层金属层的表面，第二层金属层位于所述透明导电层的表面。

6.根据权利要求1~5任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、FTO、ATO、AZO或GZO膜层。

7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的材料为Al、Zn、Ag或其中至少二种材料的合金。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层的厚度为5 Å ~50 Å。