[实用新型]固态摄像元件

说明书

本实用新型提供一种固态摄像元件，在具有沿纵向层叠的两个以上半导体衬底的固态摄像元件中，通过微细的插塞将半导体衬底彼此之间电连接。将覆盖具有受光元件的半导体衬底(SB1)的第一背面的绝缘膜(IF1)与覆盖搭载有半导体元件的半导体衬底(SB2)的第二主面的层间绝缘膜(IL2)彼此接合。在该接合面，贯穿绝缘膜(IF1)的插塞(PG1)与埋入层间绝缘膜(IL2)的上表面的连接孔内的插塞(PG2)接合，上述受光元件与上述半导体元件经由插塞(PG1、PG2)而电连接。

技术领域

本实用新型涉及固态摄像元件及其制造方法，尤其涉及一种适用于沿纵向层叠有两个以上半导体衬底的固态摄像元件的有效技术。

背景技术

已知一种技术是层叠多个在半导体衬底上形成有半导体元件或布线等的晶片，并从由此形成的层叠半导体衬底获得半导体芯片，从而提高半导体芯片的集成度。

非专利文献1中记载了一种技术是通过在SOI衬底的背面形成插塞，并在SOI衬底上的布线层的上表面形成露出的布线，由此，将形成有元件及布线的多个衬底彼此电连接来层叠。

现有技术文献

非专利文献

非专利文献1：“三维集成电路的制造技术”国际质量电子设计研讨会(ISQED)，2002年，33页～37页(Fabrication technologies for three-dimensional integratedcircuits.International Symposium on Quality Electronic Design(ISQED),2002,pp.33-37)

实用新型内容

在通过将形成有受光元件的半导体晶片与其它半导体晶片粘接而形成具有层叠衬底的固态摄像元件的情况下，可考虑到将各个半导体晶片的主面侧彼此接合。然而，若仅是将半导体晶片的主面侧彼此接合的技术，则无法使半导体晶片层叠三个以上。

另外，作为将层叠的半导体晶片彼此电连接的导电性连接部，可考虑到使用从一方半导体晶片内形成到另一方半导体晶片内的Si(硅)贯穿电极(TSV：Through-SiliconVia(硅通孔))。然而，由于TSV的直径较大而难以配置在排列有像素的像素阵列内，所以若通过TSV将半导体晶片彼此电连接，则会产生电流路径变长的问题等。

其它目的和新特征将从本说明书的记述及附图中得以明确。

若对本申请所公开的实施方式中的代表性实施方式的概要进行简单说明，则如下所述。

一实施方式的固态摄像元件具有：第一半导体衬底；第二半导体衬底；覆盖第一半导体衬底的背面的绝缘膜；覆盖第二半导体衬底的主面的层间绝缘膜；贯穿绝缘膜的第一导电性连接部；和埋入层间绝缘膜的上表面的连接孔内的第二导电性连接部，将绝缘膜与层间绝缘膜接合，并将第一导电性连接部与第二导电性连接部接合。

实用新型效果

根据本申请中公开的一个实施方式，能够提高固态摄像元件的性能。

附图说明

图1是表示作为本实用新型的实施方式1的固态摄像元件的剖视图。

图2是构成作为本实用新型的实施方式1的固态摄像元件的像素的等效电路图。

图3是作为本实用新型的实施方式1的固态摄像元件的制造工序中的剖视图。

图4是继图3之后的固态摄像元件的制造工序中的剖视图。

图5是继图4之后的固态摄像元件的制造工序中的剖视图。

图6是继图5之后的固态摄像元件的制造工序中的剖视图。

图7是继图6之后的固态摄像元件的制造工序中的剖视图。