[实用新型]一种陶瓷电阻式压力传感器有效

专利信息
申请号: 201820803616.6 申请日: 2018-05-28
公开(公告)号: CN208238995U 公开(公告)日: 2018-12-14
发明(设计)人: 李玉林;莫艺;叶育强 申请(专利权)人: 深圳研勤达科技有限公司
主分类号: G01L1/22 分类号: G01L1/22
代理公司: 深圳众赢通宝知识产权代理事务所(普通合伙) 44423 代理人: 翁治林
地址: 518000 广东省深圳市光明新*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 陶瓷膜片 微位移 本实用新型 压力传感器 被测介质 标准测量 厚膜电路 陶瓷电阻 陶瓷基座 测量精度高 电容式结构 抗过载能力 介质压力 配合固定 压敏电阻 变型 成正比 电阻式 抗冲击 位移量 转换 检测 超压 感测 空腔 坚固 保证
【权利要求书】:

1.一种陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,包括用于感测被测介质压力而产生微位移的陶瓷膜片(10)、与所述陶瓷膜片(10)配合固定并形成预定厚度的空腔的陶瓷基座(20)、以及设置在所述陶瓷膜片(10)内侧用于检测所述微位移并转换为对应的标准测量信号的厚膜电路。

2.根据权利要求1所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述陶瓷膜片(10)通过玻璃浆料与所述陶瓷基座(20)烧结在一起形成所述空腔。

3.根据权利要求2所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述空腔的预定厚度为70-80um。

4.根据权利要求1所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述陶瓷基座(20)的中心位置设置有一个用于通气的通气通孔(21)。

5.根据权利要求4所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述陶瓷基座(20)还包括6个电极通孔(22、23、24、25、26、27)。

6.根据权利要求5所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述陶瓷基座(20)的边缘位置设置有一个用于定位的定位孔(28)。

7.根据权利要求1所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述厚膜电路包括惠斯通电桥;

所述惠斯通电桥包括压敏电阻R1、压敏电阻R2、压敏电阻R3和压敏电阻R4。

8.根据权利要求7所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述惠斯通电桥为全桥差动电路。

9.根据权利要求7所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,还包括设置在所述陶瓷基座(20)内侧用于对所述厚膜电路进行激光修调的修调电路。

10.根据权利要求9所述的陶瓷电阻式压力传感器,其特征在于,所述修调电路包括零点补偿电阻R5和零点补偿电阻R6;

所述零点补偿电阻R5与所述压敏电阻R1串联,所述零点补偿电阻R6与所述压敏电阻R2串联。

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