[实用新型]晶圆吸盘有效
申请号: | 201820799016.7 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN208336179U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 张朝前;马砚忠;李少雷;陈鲁 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
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地址: | 518107 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆吸盘 吸附面 盘体 定位件 凹口 吸盘 相对位置关系 半导体结构 本实用新型 侧壁 吸附 种晶 检测 加工 | ||
本实用新型提供一种晶圆吸盘,其中,所述晶圆吸盘包括:盘体,所述盘体包括吸附面,所述吸附面用于吸附晶圆,所述晶圆侧壁中具有凹口;连接所述盘体的第一定位件,所述第一定位件用于定位晶圆凹口的位置。所述晶圆吸盘能够确定晶圆中的半导体结构与吸附面之间的相对位置关系,从而有利于对晶圆的加工和检测。
技术领域
本实用新型涉及半导体装备技术领域,尤其涉及一种晶圆吸盘。
背景技术
在半导体工艺中,往往需要在晶圆中形成电路原件,为了确定电路原件与晶圆的相对位置,所述晶圆侧壁中具有凹口。在晶圆加工或检测过程中,经常需要将晶圆固定于加工装置上,从而方便对晶圆的加工。
现有半导体加工工艺中,固定晶圆的方式主要由以下三种:第一,通过夹持头对晶圆进行夹持,从而固定晶圆;第二,通过静电吸附作用将晶圆固定于加工装置上;第三,采用真空吸附的方式来固定晶圆。其中,真空吸附的方式能够使晶圆受力均匀,不容易损伤晶圆,且真空吸附对环境的要求低。因此,通过真空吸附固定晶圆的方式应用较广泛。
然而,现有技术在将晶圆固定于晶圆吸盘上时,晶圆中电路原件的位置不容易确定。
实用新型内容
本实用新型解决的问题是提供一种晶圆吸盘及其工作方法,能够对晶圆中的半导体结构进行定位。
为解决上述问题,本实用新型提供一种晶圆吸盘,包括:盘体,所述盘体包括吸附面,所述吸附面用于吸附晶圆,所述晶圆侧壁中具有凹口;连接所述盘体的第一定位件,所述第一定位件用于定位晶圆凹口的位置。
可选的,所述第一定位件包括:卡紧部,所述卡紧部用于部分或全部卡入所述凹口中。
可选的,所述卡紧部为柱体,所述卡紧部的侧面包括:用于接触晶圆的卡紧前面;连接所述卡紧前面的两个卡紧侧面。
可选的,所述第一定位件还包括:连接所述盘体的腹板,所述腹板适于全部或部分凸出于所述吸附面表面,所述卡紧部设置于所述腹板侧壁表面;分别连接所述腹板相对的两侧壁的两翼缘,两个翼缘分别位于所述腹板中心与卡紧部中心连线的两侧。
可选的,所述腹板在平行于两翼缘排列方向上的尺寸为1.8mm~2.2mm;所述翼缘的厚度为1.35mm~1.65mm;所述翼缘在平行于两翼缘排列方向上的尺寸为6mm~7mm。
可选的,所述第一定位件中具有缓冲槽,所述缓冲槽沿所述腹板至所述卡紧部的方向贯穿所述腹板和卡紧部;当所述第一定位件还包括两翼缘时,所述两个翼缘分别位于所述缓冲槽两侧。
可选的,所述缓冲槽的宽度为0.9mm~1.1mm;所述缓冲槽底部腹板的厚度为1.35mm~1.65mm。
可选的,所述盘体中具有第一滑槽,所述第一滑槽为条型;所述第一定位件部分位于所述第一滑槽中,所述第一定位件用于在所述第一滑槽中移动。
可选的,所述第一滑槽为条型,所述第一定位件用于沿所述第一滑槽延伸方向移动,所述第一滑槽延伸方向过所述吸附面中心。
可选的,所述盘体中具有第一定位孔,所述第一定位件部分位于所述第一定位孔中;或者,所述第一定位件与所述盘体固定连接。
可选的,通过第一定位件固定晶圆之后,所述第一定位件中心与吸附面中心之间的连线为定位线,所述凹口与晶圆中心之间的连线为晶圆线;所述第一定位件用于使所述定位线与晶圆线之间具有固定夹角,所述固定夹角大于或等于零。
可选的,还包括:连接所述盘体的第一限位件,所述第一限位件的个数为一个或多个。
可选的,当所述第一限位件的个数为一个时,所述第一限位件与所述第一定位件连线经过所述吸附面的中心;当所述第一限位件的个数为多个时,至少有两个第一限位件的中心以及第一定位件的中心位置构成三角形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造