[实用新型]一种大功率超高压脉冲半波整流桥有效

专利信息
申请号: 201820795354.3 申请日: 2018-05-25
公开(公告)号: CN208271887U 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 董珂 申请(专利权)人: 济南固锝电子器件有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L29/861
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 罗文曌
地址: 250104 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 串联组 双芯片 超高压脉冲 二极管芯片 半波整流 共阴极 功率半导体器件 本实用新型 二极管 阳极 半桥结构 整流效率 半波 分立 输出 制约
【权利要求书】:

1.一种大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,包括四个二极管芯片,四个二极管芯片分成两个双芯片串联组,两个双芯片串联组共阴极输出形成半桥结构,并且共阴极处引出两条引线,两个双芯片串联组的阳极分别引出一条引线。

2.根据权利要求1所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,还包括塑封体和金属框架,金属框架上设置有焊盘,焊盘设置有四个,二极管芯片设置在焊盘上,二极管芯片一面固定焊接在金属框架的焊盘上,另一面通过跳片焊接到金属框架上。

3.根据权利要求2所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述塑封体的中间位置设置有长条孔,两个双芯片串联组分别设置在长条孔的两侧且以长条孔为中心对称设置。

4.根据权利要求3所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述引线一端连接跳片,另一端延伸出塑封体。

5.根据权利要求4所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述二极管芯片在金属框架上均匀分别且相邻两二极管芯片之间的间距为8mm-10mm。

6.根据权利要求5所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述二极管芯片尺寸为为100mil~220mil。

7.根据权利要求6所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述二极管芯片与金属框架、二极管芯片与跳片以及跳片与引线均采用铅锡银高温焊料焊接连接。

8.根据权利要求7所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述二极管芯片采用高压开关二极管芯片。

9.根据权利要求8所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述跳片包括圆形连接部、过渡连接部和方形连接部,圆形连接部呈圆形,过渡连接部设置在圆形连接部和方形连接部之间且过渡连接部的宽度小于方形连接部的宽度;圆形连接部用于连接二极管芯片,过渡连接部用于连接圆形连接部和方形连接部,方形连接部用于连接引线。

10.根据权利要求9所述的大功率超高压脉冲半波整流桥,其特征在于,所述过渡连接部与方形连接部的连接处通过圆弧过渡。

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