[实用新型]功率半导体元件有效
| 申请号： | 201820791965.0 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN208271904U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陈劲甫 | 申请（专利权）人： | 力祥半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延层 终端区 功率半导体元件 终端沟槽 基底 源区 电位 本实用新型 第二电极 第一电极 配置 沟槽电极 击穿电压 漏极电位 扭曲现象 源极电位 电场 边缘处 邻近 | ||
1.一种功率半导体元件，其特征在于，包括：
基底，定义有有源区与终端区，所述终端区围绕所述有源区；
第一外延层，配置在所述有源区与所述终端区的所述基底上；以及
第二外延层，配置在所述基底与所述第一外延层之间；
其中所述第二外延层中包括：
第一终端沟槽，具有第一电极，其配置在所述终端区中且邻近所述有源区；以及
第二终端沟槽，具有第二电极，配置在所述终端区中，其中所述第一电极的电位与所述第二电极的电位介于源极电位与漏极电位之间。
2.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，所述第一电极的所述电位介于所述第二电极的所述电位与所述源极电位之间。
3.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，还包括第三终端沟槽，具有第三电极，配置在所述第一终端沟槽与所述第二终端沟槽之间，其中所述第三电极的电位介于所述第一电极的所述电位与所述第二电极的所述电位之间。
4.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，还包括电阻元件，配置在源极与漏极之间，电性连接所述第一电极以及所述第二电极。
5.根据权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，所述电阻元件为串联在一起的多个电阻，所述第一电极以及所述第二电极分别电性连接所述多个电阻之间的节点。
6.根据权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，所述电阻元件为线形，环绕所述终端区。
7.根据权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，所述电阻元件配置在所述第一外延层中的沟槽中。
8.根据权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，所述电阻元件为导电层，配置于所述第一外延层上，其中所述导电层与所述第一外延层电性隔离。
9.根据权利要求4所述的功率半导体元件，其特征在于，所述电阻元件为位于所述第一外延层中的掺杂区，所述掺杂区杂区的导电型与所述第一外延层的导电型不同。
10.根据权利要求1所述的功率半导体元件，其特征在于，所述第一外延层的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度。
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