[实用新型]一种水冷铜焊接装置

说明书

本实用新型公开了一种水冷铜焊接装置，其结构包括：半导体激光器、激光束导管、光束导管底盘、夹扣固定块、径向管帽壳、激光径向管、径向管底座、箱体弹簧盖板、激光电容箱、激光焊接管座，激光焊接管座水平固定在激光电容箱左侧，箱体弹簧盖板竖直紧贴于激光电容箱右侧并且采用机械连接，激光径向管与箱体弹簧盖板之间设有径向管底座，本实用新型半导体激光器设有半导体管壳、半导体内管、半导体稳流管、激光器镭射帽，实现了水冷铜焊接装置的激光器配合镭射二极管实现半导体的直接通电发射激光熔化水冷铜并且重铸固定焊接的效果，快速便捷有效又节省时间。

技术领域

本实用新型是一种水冷铜焊接装置，属于水冷铜焊接设备领域。

背景技术

气电立焊是由普通熔化极气体保护焊和电渣焊发展而形成的一种熔化极气体保护电弧焊方法，其优点是：生产率高，成本低。与窄间隙焊的主要区别在于焊缝一次成形，而不是多道多层焊，气电立焊的能量密度比电渣焊高且更加集中，焊接技术却基本相同，它利用类似于电渣焊所采用的水冷滑块挡住熔融的金属，使之强迫成形，以实现立向位置的焊接，通常采用外加单一气体(如CO ₂)或混合气体(如Ar+O ₂)作保护气体，在焊接电弧和熔滴过渡方面，气电立焊类似于普通熔化极气体保护焊(如CO ₂焊， MAG焊)，而在焊缝成形和机械系统方面又类似于电渣焊。气电立焊与电渣焊的主要区别在于熔化金属的热量是电弧热而不是熔渣的电阻热。气电立焊通常用于较厚的低碳钢和中碳钢等材料的焊接，也可用于奥氏体不锈钢和其它金属合金的焊接，板材厚度在12～80mm最适宜，如大于80mm时，难获得充分良好的保护效果，导致焊缝中产生气孔，熔深不均匀和未焊透，焊接接头长度一般无限制，单层焊是最常用的焊接方法，但也可采用多层焊。

但现有技术水冷铜焊接装置的焊接设备多样化，焊接技术多种类，却达不到最直接的熔化重铸快速效果，多数加热后熔化，浪费时间又耗费成本，达不到快速通电立即熔铸的效果。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种水冷铜焊接装置，以解决水冷铜焊接装置的焊接设备多样化，焊接技术多种类，却达不到最直接的熔化重铸快速效果，多数加热后熔化，浪费时间又耗费成本，达不到快速通电立即熔铸的效果的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种水冷铜焊接装置，其结构包括：半导体激光器、激光束导管、光束导管底盘、夹扣固定块、径向管帽壳、激光径向管、径向管底座、箱体弹簧盖板、激光电容箱、激光焊接管座，所述激光焊接管座水平固定在激光电容箱左侧，所述箱体弹簧盖板竖直紧贴于激光电容箱右侧并且采用机械连接，所述激光径向管与箱体弹簧盖板之间设有径向管底座，所述半导体激光器与激光电容箱电连接并且水平贯穿光束导管底盘、径向管帽壳、激光径向管，所述光束导管底盘竖直固定在激光束导管左侧，所述半导体激光器水平安装于激光束导管内部，所述夹扣固定块设有两个分别水平固定在径向管帽壳右侧上下角并且与光束导管底盘采用过盈配合，所述半导体激光器设有半导体管壳、半导体内管、半导体稳流管、激光器镭射帽，所述激光器镭射帽竖直固定在半导体管壳右侧，所述半导体内管水平贯穿半导体管壳并且水平插嵌在激光器镭射帽左侧，所述半导体稳流管水平固定在半导体内管右下侧，所述半导体内管与激光电容箱电连接并且水平贯穿光束导管底盘、径向管帽壳、激光径向管。

进一步地，所述径向管帽壳、激光径向管、径向管底座的轴心共线。

进一步地，所述光束导管底盘的凹槽与夹扣固定块凸块采用过盈配合。

进一步地，所述激光束导管与光束导管底盘的轴心共线。

进一步地，所述激光电容箱与激光焊接管座为一体结构。

进一步地，所述半导体激光器内置镭射二极管，配合气电立焊技术，激光焊接水冷铜高效。

进一步地，所述夹扣固定块为机械连接件，紧固性强，夹扣卡槽固定。