[实用新型]多级驱动器、显示装置及电子设备有效
申请号: | 201820765612.3 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN208126843U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 赵远洋;邵贤杰;张晓洁 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 230012 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驱动单元 输出端 输入端 多级驱动器 电耦 反向器电路 电子设备 显示装置 本实用新型 温度传感 第一级 最后一级驱动单元 移位寄存器单元 多级驱动 低成本 前一级 | ||
本实用新型涉及多级驱动器、显示装置及电子设备。一种具有温度传感功能的多级驱动器包括多级驱动单元,每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。根据本实用新型的多级驱动器、显示装置及电子设备能够以低成本实现温度传感功能。
技术领域
本实用新型涉及电路及显示技术领域,具体而言,涉及一种多级驱动器、显示装置及电子设备。
背景技术
对于电子设备和元器件,无论是手机、电脑等电子产品,还是微观方面的TFT器件,温度都是最重要的参数之一。
温度的影响主要反映在对器件的寿命和运行性能上。高温会加速器件老化,对电子产品有不良影响。另外,温度变化会影响器件的诸如阈值电压等参数。因此,对于温度的检测是必需的。
目前传统的硅基温度传感器,主要原理是当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时,它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。但是,对于TFTLCD、OLED显示器等电子装置而言,硅基温度传感器集成在显示器内,但是位于显示面板之外。这样不仅增加了成本,对面板的厚度也会有一定影响。
实用新型内容
本实用新型提供了一种多级驱动器、显示装置及电子设备,能够以低成本实现温度传感功能。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本实用新型的第一方面,提供一种具有温度传感功能的多级驱动器,包括多级驱动单元,其中:
每级驱动单元包括移位寄存器单元、第二输入端、第二输出端和反向器电路,所述第二输入端电耦接至所述反向器电路的输入端,所述第二输出端电耦接至所述反向器电路的输出端;
除第一级驱动单元外,每级驱动单元的第二输入端电耦接至前一级驱动单元的第二输出端;
所述第一级驱动单元的第二输入端电耦接至最后一级驱动单元的第二输出端。
根据一些实施例,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管,其中:
所述第一NMOS晶体管的源极和栅极与第一电源电耦接;所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第二NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;
所述反向器电路的输入端电耦接至所述第二NMOS晶体管的栅极;所述反向器电路的输出端电耦接至所述第二NMOS晶体管的漏极。
根据一些实施例,所述反向器电路包括第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管,其中:
所述第一PMOS晶体管的源极与第一电源电耦接;所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极电耦接;所述第一NMOS晶体管的源极与第二电源电耦接;
所述反向器电路的输入端电耦接至所述第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的栅极;所述反向器电路的输出端电耦接至所述第一NMOS晶体管的漏极。
根据一些实施例,所述第一电源为高电平电源,所述第二电源为低电平电源或地电源。
根据一些实施例,所述反向器电路独立于所述移位寄存器单元。
根据一些实施例,所述反向器电路与所述移位寄存器单元基于同一半导体工艺。
根据本实用新型的第二方面,提供一种显示装置,包括:
如前所述的任一多级驱动器,配置为用作栅极驱动器;
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