[实用新型]一种功率半导体模块衬底及功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块衬底，其特征在于，包括第一金属敷层、第二金属敷层、第三金属敷层、第四金属敷层和第五金属敷层，所述第一金属敷层、所述第二金属敷层和所述第三金属敷层依次连接，所述第四金属敷层和所述第五金属敷层分别与所述第一金属敷层连接；其中，

所述第四金属敷层上设有第一隔断结构，使所述第四金属敷层分为第一敷层单元和第二敷层单元，所述第一隔断结构上设有第一电流传感器，所述第一电流传感器将所述第一敷层单元和所述第二敷层单元连接；所述第五金属敷层上设有第二隔断结构，使所述第五金属敷层分为第三敷层单元和第四敷层单元，所述第二隔断结构上设有第二电流传感器，所述第二电流传感器分将所述第三敷层单元和所述第四敷层单元连接。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一金属敷层与所述第四金属敷层、所述第五金属敷层连接为一体结构，所述第一金属敷层与所述第二金属敷层、所述第二金属敷层与所述第三金属敷层分别通过连接装置连接。

3.如权利要求2所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第三金属敷层上设有用于导通负极功率电流的负极功率端子引脚，所述第四金属敷层和所述第五金属敷层上分别设有用于导通正极功率电流的正极功率端子引脚。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第二金属敷层与所述第三金属敷层连接为一体结构，所述第一金属敷层与所述第四金属敷层、所述第一金属敷层与所述第五金属敷层、所述第一金属敷层与所述第二金属敷层分别通过连接装置连接。

5.如权利要求4所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第三金属敷层上设有用于导通正极功率电流的正极功率端子引脚，所述第四金属敷层和所述第五金属敷层上分别设有用于导通负极功率电流的负极功率端子引脚。

6.如权利要求1所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一电流传感器设有一对第一信号端子，所述第一信号端子中的一个与所述第一敷层单元连接，所述第一信号端子中的另一个与所述第二敷层单元连接；所述第二电流传感器设有一对第二信号端子，所述第二信号端子中的一个与所述第三敷层单元连接，所述第二信号端子中的另一个与所述第四敷层单元连接。

7.如权利要求6所述的功率半导体模块衬底，其特征在于，所述第一信号端子与所述第一电流传感器的间距、所述第二信号端子与所述第二电流传感器的间距分别小于3mm。

8.一种功率半导体模块，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的功率半导体模块衬底。

9.如权利要求8所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一金属敷层与所述第四金属敷层、所述第五金属敷层连接为一体结构，并且安装第一功率半导体芯片；所述第二金属敷层上安装第二功率半导体芯片；所述第二金属敷层通过连接装置与所述第一功率半导体芯片的第一功率电极连接；所述第三金属敷层通过连接装置与所述第二功率半导体芯片的第二功率电极连接。

10.如权利要求8所述的功率半导体模块，其特征在于，所述第一金属敷层上安装第一功率半导体芯片；所述第二金属敷层与所述第三金属敷层连接为一体结构，并且安装第二功率半导体芯片；所述第四金属敷层、所述第五金属敷层分别通过连接装置与所述第一功率半导体芯片的第一功率电极连接；所述第一金属敷层通过连接装置与所述第二功率半导体芯片的第二功率电极连接。