[实用新型]低频双极化全波辐射单元

权利要求书

1.一种低频双极化全波辐射单元，包括辐射单元主体、设置在辐射单元主体上的支撑座以及设置在支撑座上用于给辐射单元主体进行馈电的馈电电缆，其特征在于：所述辐射单元主体包括介质基板、设置在介质基板正面的两条对角线上的第一振子组和第二振子组以及设置在介质基板背面四周的四个折合微带线，所述第一振子组和第二振子组呈极化正交设置；所述第一振子组和第二振子组分别包括两个关于介质基板的中心对称的折合振子；每个所述折合振子包括两个关于对应的介质基板正面的对角线对称的振子臂，所述两个振子臂的靠近介质基板中心的一端之间相互连接，两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间具有一定的距离；所述介质基板的背面在对应每个振子臂的靠近介质基板中心的一端的位置分别设有调节件。

2.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述介质基板正面的四周分别设有三角形耦合片，所述三角形耦合片位于对应的相邻两个折合振子的相邻两个振子臂之间。

3.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述介质基板正面的四个角上分别设有矩形耦合片，所述矩形耦合片位于对应的折合振子的相邻两个振子臂的远离介质基板中心的一端之间。

4.根据权利要求3所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述矩形耦合片设有金属过孔，所述金属过孔的底端延伸至所述介质基板的背面并焊接有金属圆柱，所述金属圆柱沿远离介质基板背面的方向延伸。

5.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：每个振子臂的靠近所述介质基板中心的一端设有通孔，所述通孔贯穿至介质基板的背面；所述调节件通过紧固件固定到所述介质基板的背面，所述紧固件安装到对应的通孔。

6.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述支撑座设置在所述介质基板背面的中心位置，介质基板背面的调节件位于支撑座的四周；所述支撑座包括支撑座本体以及形成在支撑座本体顶部的呈正交设置的第一巴伦组、第二巴伦组，所述第一巴伦组、第二巴伦组分别位于所述介质基板背面的两条对角线上，且第一巴伦组与所述第一振子组对应，第二巴伦组与所述第二振子组对应。

7.根据权利要求6所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述第一巴伦组和第二巴伦组分别包括第一平衡臂和第二平衡臂，所述第一平衡臂的顶部设有连接柱，所述第二平衡臂的顶部设有电缆孔；所述第一巴伦组的第一平衡臂的连接柱穿设到所述介质基板、第一振子组的其中一个折合振子并突出于该折合振子，所述第二巴伦组的第一平衡臂的连接柱穿设到所述介质基板、第二振子组的其中一个折合振子并突出于该折合振子。

8.根据权利要求7所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述第一振子组的两个折合振子通过第一微带线连接，所述第二振子组的两个折合振子通过第二微带线连接。

9.根据权利要求8所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述馈电电缆包括第一同轴电缆和第二同轴电缆；所述第一同轴电缆的外导体焊接到第一巴伦组的第二平衡臂的外周，第一同轴电缆的内导体的末端穿过第二平衡臂的电缆孔并穿设到所述介质基板、所述第一微带线且焊接到第一微带线，第一同轴电缆的内导体的末端突出于该第一微带线；所述第二同轴电缆的外导体焊接到第二巴伦组的第二平衡臂的外周，第二同轴电缆的内导体的末端穿过第二平衡臂的电缆孔并穿设到所述介质基板、所述第二微带线且焊接到第二微带线，第二同轴电缆的内导体的末端突出于该第二微带线。

10.根据权利要求1所述的低频双极化全波辐射单元，其特征在于：所述辐射单元主体还包括寄生片，所述寄生片通过支撑柱设置在所述介质基板的正面。