[实用新型]一种氮化硅光伏构件及发电装置有效
申请号: | 201820753185.7 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN208173608U | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 颜井意;杜建周;黄燕梅;蔡泽昱 | 申请(专利权)人: | 江苏东浦精细陶瓷科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 齐云 |
地址: | 222000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定壳 氮化硅光 光伏电池组件 发电装置 固定组件 封装条 固定条 容置槽 遮挡件 本实用新型 底面边缘 电池组件 顶面边缘 光伏发电 使用寿命 相对设置 电池板 底面 顶面 盛放 | ||
1.一种氮化硅光伏构件,其特征在于,包括自上而下设置的光伏电池组件、封装条和固定组件,所述封装条的顶部与所述光伏电池组件的底面边缘相连,所述封装条的底面与固定组件的顶面边缘相连;
所述固定组件包括第一固定壳和位于所述第一固定壳两侧的第二固定壳和第三固定壳,所述第一固定壳、所述第二固定壳和所述第三固定壳的顶部边缘均与所述封装条的底面相连,所述第一固定壳、所述第二固定壳和所述第三固定壳远离所述光伏电池组件一端的端面为安装端面,所述第一固定壳的所述安装端面与所述光伏电池组件底面的距离大于所述第二固定壳的所述安装端面与所述光伏电池组件底面的距离,且所述第一固定壳的所述安装端面与所述光伏电池组件底面的距离大于所述第三固定壳的所述安装端面与所述光伏电池组件底面的距离;
所述第三固定壳上设置有容置槽,所述容置槽内盛放有与所述光伏电池组件顶面面积相适应的遮挡件,所述第二固定壳远离所述第一固定壳的端面上设置有用于固定所述遮挡件的第一固定条,所述第三固定壳远离所述第一固定壳的端面上设置有与所述第一固定条相对设置的第二固定条。
2.根据权利要求1所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述光伏电池组件包括间隔设置的第一电池板和第二电池板,所述第一电池板和所述第二电池板的顶部边缘均与所述封装条的顶部相连。
3.根据权利要求1所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述第一固定条和所述第二固定条均包括安装条、抽拉条和支撑条,所述第一固定条上的所述安装条的一端与所述第二固定壳固定连接,所述第二固定条上的所述安装条的一端与所述第三固定壳固定连接,所述安装条的另一端设置有滑动槽,所述抽拉条的一端与所述滑动槽滑动连接,所述抽拉条的另一端与所述支撑条的一端转动连接。
4.根据权利要求3所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述抽拉条包括抽拉条主体和滑动条,所述滑动条与所述滑动槽滑动配合,所述抽拉条主体远离所述滑动条的一端与所述支撑条转动连接。
5.根据权利要求4所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述支撑条远离所述抽拉条的一端设置有用于固定所述遮挡件的卡固柱,所述遮挡件包括布料主体和与所述卡固柱相配合的两个固定环,两个所述固定环分别位于所述布料主体的两端。
6.根据权利要求5所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述卡固柱包括固定柱主体、第一限位柱和第二限位柱,所述第一限位柱和所述第二限位柱均固定于所述固定柱主体远离所述支撑条的一端侧壁,且所述第一限位柱位于所述固定柱主体的一侧,所述第二限位柱位于所述固定柱主体相对的另一侧。
7.根据权利要求6所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述固定柱主体远离所述支撑条一端的端面上设置有翻折柱,所述翻折柱与所述固定柱主体转动连接。
8.根据权利要求1所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述第二固定壳的所述安装端面与所述第三固定壳的所述安装端面齐平。
9.根据权利要求8所述的氮化硅光伏构件,其特征在于,所述第三固定壳包括空心壳体段和与所述空心壳体段相连的实心壳体段,所述空心壳体段和所述实心壳体段的顶部均与所述封装条的底面相连,所述容置槽位于所述实心壳体段。
10.一种发电装置,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的氮化硅光伏构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的