[实用新型]一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路有效
| 申请号: | 201820738854.3 | 申请日: | 2018-05-18 |
| 公开(公告)号: | CN208334553U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
| 发明(设计)人: | 王俊美;宋利鹏;郝瑞庭;刘惠鹏 | 申请(专利权)人: | 北京华峰测控技术股份有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/02 |
| 代理公司: | 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 | 代理人: | 李桂玲;杜国庆 |
| 地址: | 100070 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 场效应管 电压转换 放大模块 漏极 电流电压转换电路 漏电流测试电路 击穿电压特性 本实用新型 测试电压源 隔离放大器 电压表 测试 正极 场效应管漏极 电压输出信号 微处理器单元 信号输入端 运算放大器 被测器件 并行测试 测试硬件 隔离输出 取样电阻 硬件成本 直接设置 电流表 多工位 漏电流 电路 传送 | ||
本实用新型公开了一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路,电路包括测试电压源和被测场效应管,在测试电压源的正极与场效应管漏极D之间设置有一个电流/电压转换放大模块,电流/电压转换放大模块的电压输出信号传送至一个隔离放大器模块的信号输入端,所述电流/电压转换放大模块由运算放大器和取样电阻组成,所述隔离放大器模块的隔离输出端连接一个微处理器单元。本实用新型通过在漏极侧利用电流电压转换电路代替直接设置的电流表,利用一套电压表测试硬件与电流电压转换电路连接实现对漏电流的测试,简单,测试精度高,并且在一套电压表硬件的基础上实现在多工位情况下的并行测试N颗被测器件,提高了测试精度和效率,节省硬件成本。
技术领域
本实用新型属于分立器件电路测试领域,具体涉及一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路和方法。
背景技术
在集成电路测试领域,各种类型的MOSFET或者其它分立器件均需要进行器件管脚之间的漏电测试,当被测试的器件具有高击穿电压的特性时,在测试器件时需要输入高电压来进行测量(如:第一代Si硅基的MOSFET以及第三代半导体器件GaN氮化镓场效应管硅等)。
MOSFET类(第一代半导体材料Si硅所对应的MOSFET,在测量漏电流时,可以接在器件的S端(源极)测量;但是第三代半导体材料GaN对应的分立器件,目前的测试要求是在D端测量漏电流)器件在测量漏电时的技术要求是在D端(漏极)测试电流,采用的最简单的测试方式如图1,在电压源与被测器件间D端(漏极)连接电流表,通过读取电流表的值获得D端的电流,但这样的测量方式由于共模电压高、被测电流为nA量级,因此要求电流表有非常高的精度,但满足如此环境和精度要求的电流表不多,且价格昂贵。
对于图1所示的技术方案,由于这类器件具有高击穿电压的特性,在测试时需要输入高电压(例如650v左右),这就产生了高共模的情况,但是在高共模的情况下,当被测电流非常小时(例如nA纳安量级),因为受到高共模的干扰,无法保证测量精度。因此,本领域的技术人员设计出另一种技术方案,如图2,在器件的G端和S端分别串联电流表,通过测量出G端(栅极)和S端(源极)的电流,然后将这两端的电流相加,计算出D端的电流,这样的方式相比较图1 的技术方案降低了对电流表共模电压输入范围的要求,从D端转换到G端和S端进行测量,但是这种方式没有遵循在D端测量的技术要求,所得出的数值并不是在D端实际测量出来的,由于测量都存在一定的误差,两个存在误差的值相加得到的最终值误差会更大。
发明内容
本实用新型的目的是提出一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路,该电路坚持在D端(漏极)测试电流,通过在D端(漏极)侧利用电流电压转换电路代替直接设置电流表,利用一套电压表测试硬件与电流电压转换电路连接实现对漏电流的测试,并且在一套电压表硬件的基础上实现在多工位情况下的并行测试N颗被测器件,提高了测试精度和效率,节省硬件成本。
为了实现上述目的,本实用新型的技术方案是:
一种场效应管击穿电压特性中的漏极漏电流测试电路,包括测试电压源和被测场效应管,测试电压源用于对被测场效应管的漏极D和源极S施加电压,其中,在测试电压源的正极与场效应管漏极D之间设置有一个电流/电压转换放大模块,电流/电压转换放大模块的电压输出信号传送至一个隔离放大器模块的信号输入端,所述电流/电压转换放大模块是由运算放大器获取取样电阻信号形成电流/电压转换,所述隔离放大器模块的隔离输出端连接一个微处理器单元,所述微处理器单元根据隔离放大器模块隔离输出信号和电流/电压转换放大模块放大增益关系计算输出测量的漏极漏电流。
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