[实用新型]半导体处理系统

权利要求书

1.一种半导体处理系统，包括：

处理腔室；

远程等离子体单元，与所述处理腔室耦合；以及

适配器，与所述远程等离子体单元耦合，其中，所述适配器包括第一端和与所述第一端相对的第二端，其中，所述适配器限定通过所述适配器的中央通道，其中，所述适配器在所述第二端处限定从第二通道的出口，其中，所述适配器在所述适配器的所述第二端处限定从第三通道的出口，并且其中，所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道各自在所述适配器内互相流体隔离。

2.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征是，所述第二通道包括第一环形通道，所述第一环形通道至少部分地延伸通过所述适配器的垂直横截面，并且其中，所述第二通道被限定为围绕所述中央通道。

3.如权利要求2所述的半导体处理系统，其特征是，所述适配器进一步限定第一端口，所述第一端口位于所述适配器的外部并且被配置成提供到所述第二通道的流体通路。

4.如权利要求2所述的半导体处理系统，其特征是，所述第三通道包括第二环形通道，所述第二环形通道至少部分地延伸通过所述适配器的垂直横截面，并且其中，所述第三通道被限定为围绕所述第二通道。

5.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征是，所述适配器进一步限定第二端口，所述第二端口位于所述适配器的外部并且被配置成提供到所述第三通道的流体通路。

6.如权利要求4所述的半导体处理系统，其特征是，所述中央通道、所述第二通道、和所述第三通道同心对准。

7.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征是，进一步包括在所述适配器和所述远程等离子体单元之间耦合的隔离器。

8.如权利要求7所述的半导体处理系统，其特征是，所述隔离器包括陶瓷。

9.如权利要求1所述的半导体处理系统，其特征是，进一步包括在所述适配器和所述处理腔室之间耦合的混合歧管。

10.如权利要求9所述的半导体处理系统，其特征是，所述混合歧管被表征为入口的直径大于或等于所述第三通道的外径。

11.如权利要求10所述的半导体处理系统，其特征是，所述混合歧管的所述入口过渡为所述混合歧管的锥形部分。

12.如权利要求11所述的半导体处理系统，其特征是，所述混合歧管的所述锥形部分过渡为所述混合歧管的扩口部分，所述扩口部分延伸至所述混合歧管的出口。

13.一种半导体处理系统，包括：

远程等离子体单元；以及

处理腔室，

气体箱，限定中央通道，

区隔板，与所述气体箱耦合，其中所述区隔板限定通过所述区隔板的多个孔，

面板，在所述面板的第一表面处与所述区隔板耦合，以及

离子抑制元件，在与所述面板的所述第一表面相对的所述面板的第二表面处与所述面板耦合。

14.如权利要求13所述的半导体处理系统，其特征是，进一步包括加热器，所述加热器围绕耦合至所述气体箱的混合歧管在外部耦合至所述气体箱。

15.如权利要求13所述的半导体处理系统，其特征是，所述气体箱从上方限定第一容积，并且所述区隔板沿所述第一容积的外径并从下方限定所述第一容积，并且其中，所述离子抑制元件从下方限定第二容积且所述面板从上方并且沿所述第二容积的外径限定所述第二容积。

16.如权利要求13所述的半导体处理系统，其特征是，所述气体箱、区隔板、面板、和离子抑制元件直接耦合在一起。