[实用新型]柱状电容器阵列结构

权利要求书

1.一种柱状电容器阵列结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括若干个位于内存数组结构中的接触焊盘；

填孔下电极，结合于所述接触焊盘上，所述填孔下电极的侧壁呈波纹状或锯齿状；

平面式支架支撑层，且所述平面式支架支撑层覆盖各所述填孔下电极的上表面；

电容介质层，形成于所述填孔下电极的侧壁以及所述填孔下电极周围的所述半导体衬底上；

上电极层，形成于所述电容介质层表面；以及

上电极填充体，所述上电极填充体填充于相邻所述上电极层之间的间隙并与所述上电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述柱状电容器阵列结构还包括保护支撑层，所述保护支撑层套置于所述填孔下电极的上表面外围，且所述保护支撑层的上表面与所述平面式支架支撑层的下表面相接触。

3.根据权利要求1所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述半导体衬底与所述电容介质层之间还形成有一隔离层。

4.根据权利要求1所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述填孔下电极包括交替叠置的第一直径部及第二直径部，其中，所述第一直径部的横向尺寸大于所述第二直径部的横向尺寸。

5.根据权利要求4所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述第一直径部的横向尺寸介于40nm～105nm之间，所述第二直径部的横向尺寸介于35nm～100nm之间；所述第一直径部的厚度介于3nm～30nm之间，所述第二直径部的厚度介于20nm～50nm之间。

6.根据权利要求4所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述第一直径部的横向尺寸介于所述第二直径部的横向尺寸的1.08～1.18倍之间；所述第二直径部的厚度介于所述第一直径部厚度的1.5～3倍之间。

7.根据权利要求1所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述柱状电容器阵列结构还包括上电极覆盖层，所述上电极覆盖层形成于所述上电极填充体的表面。

8.根据权利要求1所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述电容介质层的介电常数介于4～400之间；所述电容介质层选自钛酸锶和氧化钛构成的叠层结构、氧化铝和氧化铪构成的叠层结构、氧化锆和氧化铝构成的叠层结构以及复合钙铁矿型铁电材料中的一种；所述电容介质层的厚度介于10nm～85nm之间；所述上电极层的厚度介于15nm～95nm之间。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的柱状电容器阵列结构，其特征在于，所述上电极填充体内还形成有空气腔，且所述空气腔位于相邻的所述上电极层之间。

10.一种半导体存储器结构，其特征在于，所述半导体存储器结构包括如权利要求1所述的柱状电容器阵列结构。