[实用新型]一种红外探伤仪有效
申请号: | 201820721479.1 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN208350630U | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 张琦;包华巍 | 申请(专利权)人: | 北京羲和阳光科技发展有限公司 |
主分类号: | G01N21/35 | 分类号: | G01N21/35 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 姜海荣 |
地址: | 100000 北京市顺义*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测装置 下箱体 上箱体 本实用新型 红外探伤仪 控制装置 旋转支架 安装台 工作台 顶壁 电性连接 分开设置 通信连接 向上倾斜 转动连接 计算机 模块化 上端面 延伸 整机 自动化 | ||
本实用新型公开了一种红外探伤仪,包括:上箱体、检测装置、下箱体、控制装置、计算机、工作台和旋转支架;检测装置安装于上箱体内部;上箱体固定安装于下箱体的顶壁上端面,下箱体的顶壁的一侧向外延伸形成安装台;控制装置安装于下箱体内部,且与检测装置电性连接;计算机位于工作台上且与检测装置之间通信连接;旋转支架的一端与安装台转动连接,另一端向上倾斜延伸并与工作台固定连接。本实用新型不仅操作简单、自动化程度较高,且各模块分开设置,使整机组成的模块化程度较高。
技术领域
本实用新型涉及硅片缺陷检测技术领域,更具体的说是涉及一种红外探伤仪。
背景技术
晶体硅作为重要的半导体材料,其兼备了无机材料和无机材料的性能,是电子信息产业和太阳能光伏产业的关键基础材料,存在于半导体晶片的各种晶体缺陷和加工缺陷对器件质量合成品率都有不同程度的影响,为保证器件的质量和使用寿命,在使用之前需要对晶体硅进行缺陷分析。而现有的红外探伤仪无法对红外光强度进行调整,且检测模块和控制模块设置于一处,布局混乱,且彼此之间的位置不易调整。
因此,如何提供一种整机组成模块化,且自动化程度高的红外探伤仪是本领域技术人员亟需解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种红外探伤仪,将控制装置和检测装置单独安装于不同的箱体内,整机组成模块化程度较高,且均具有较大的调整范围,还通过计算机发送指令并控制检测过程,具有操作简单、自动化程度高的特点。
为解决上述技术问题,本实用新型采用如下技术方案:
一种红外探伤仪,包括:
上箱体;
检测装置,所述检测装置安装于所述上箱体内部;
下箱体,所述上箱体固定安装于所述下箱体的顶壁上端面,所述下箱体的顶壁的一侧向外延伸形成安装台;
控制装置,所述控制装置安装于所述下箱体内部,且与所述检测装置电性连接;
计算机,所述计算机与所述控制装置之间通信连接;
工作台,所述计算机位于所述工作台上,且所述工作台的水平位置高于所述安装台;
旋转支架,所述旋转支架的一端与所述安装台转动连接,另一端向上倾斜延伸并与所述工作台固定连接。
经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,首先,本实用新型的检测装置和控制装置分别位于不同的箱体中,不仅具有较大的调整空间,且其运行过程互不干涉,具有较高的模块化程度;其次,通过计算机对硅块的检测结果进行分析,操作简单、且自动化程度较高;再次,计算机相对下箱体的位置可以通过旋转支架进行调整,灵活方便;最后,工作台的设置不仅能够放置图表等物品,还一定程度上保证了工作人员工作过程的舒适度。
优选的,在上述一种红外探伤仪中,所述检测装置包括红外发射装置、成像仪、可沿所述上箱体的高度方向上下移动的升降装置和用于放置待检测物体的转台,其中,所述升降装置的固定端与所述上箱体的底壁上端面固定连接,所述升降装置的移动端的两侧端分别与所述红外发射装置和所述成像仪固定连接,所述转台固定于所述上箱体的底壁上端面、且位于所述红外发射装置和所述成像仪之间。
优选的,在上述一种红外探伤仪中,所述控制装置包括工控机、控制开关、急停开关、用于显示红外光强度的显示屏和用于调节红外光强度的旋钮,所述控制开关、所述急停开关、所述显示屏、所述旋钮均、所述红外发射装置、所述成像仪、所述升降装置和所述转台均与所述工控机连接。
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