[实用新型]一种霍尔离子源的导磁导流结构

说明书

本实用新型提供了一种霍尔离子源的导磁导流结构，包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；进气绝缘碗设置有与下腔室连通的进气孔，过气导磁盘设置有连通下腔室和上腔室的过气孔，出气导磁碗设置有与上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。本实用新型中，过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室，使磁感线束缚一部分在上腔室内部，提高上腔室内的磁感线密度，进而增大上腔室内的磁场强度；结构简单，生产成本低。

技术领域

本实用新型涉及离子源技术领域，尤其涉及一种霍尔离子源的导磁导流结构。

背景技术

离子源是使中性原子或分子电离，并从中引出离子束流的装置。霍尔离子源通过在真空环境下，利用发射的电子在电场和磁场的相互作用下，使充入真空室的气体产生离化，在电场和磁场的作用下发射离子。

磁场越强，电子运行轨迹越长，电离工艺气体的效率越高，得到的离子束流越大，反之亦然。如中国专利CN206271656U公开的一种霍尔离子源，其是利用电磁铁代替传统的永磁铁，通过提高流经电磁铁的电流大小，从而提高磁场强度。

然而，电磁铁代替传统的永磁铁不仅增加了设备的购置安装成本，还增加了使用过程中的电力成本，这都会大大增加了企业的生产成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是根据上述现有技术的不足，提供一种霍尔离子源的导磁导流结构，用以提高磁场强度且成本低。

本实用新型的技术方案如下：

一种霍尔离子源的导磁导流结构，包括有从下至上依次设置的进气绝缘碗、过气导磁盘和出气导磁碗，所述进气绝缘碗和过气导磁盘之间设置有下腔室，所述过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室；

所述进气绝缘碗设置有与所述下腔室连通的进气孔，所述过气导磁盘设置有连通所述下腔室和上腔室的过气孔，所述出气导磁碗设置有与所述上腔室连通的出气孔；气体从进气孔进入下腔室，经过气孔进入上腔室，最后从出气孔出去。

进一步地，所述出气孔至少有两个，所述出气孔以所述出气导磁碗的中心为圆心等角度圆周分布。

进一步地，还包括有设置于所述出气导磁碗上方的导流端盖，所述导流端盖下表面设置有导流环槽，所述导流环槽设置于所述出气孔正上方。

进一步地，所述过气导磁盘、出气导磁碗以及导流端盖均设置有对应的第一连接孔，第一连接螺栓依次穿过所述第一连接孔，使所述出气导磁碗和导流端盖固定设置于所述过气到磁盘上。

进一步地，所述导流端盖底部中心设置有定位插柱，所述出气导磁碗中心设置有定位插孔；所述定位插柱插设于所述定位插孔内，使所述导流端盖与所述出气导磁碗定位装配。

进一步地，还包括有绝缘环；所述绝缘环设置于过气导磁盘上表面，并间距套设在所述导流端盖外。

进一步地，所述下腔室由所述过气导磁盘下表面的凹槽和所述绝缘碗上表面的环槽组成；所述上腔室由所述出气导磁碗下表面的凹槽组成。

进一步地，所述进气绝缘碗和过气导磁盘均设置有对应的第二连接孔，第二连接螺栓穿过所述第二连接孔，使所述进气绝缘碗和过气导磁盘连接装配。

与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：（1）过气导磁盘和出气导磁碗之间设置有上腔室，使磁感线束缚一部分在上腔室内部，提高上腔室内的磁感线密度，进而增大上腔室内的磁场强度；（2）结构简单，生产成本低；（3）导流环槽与多个出气孔配合，使气体出气更加均匀；（4）绝缘环能够隔绝导流端盖外的电场，避免电场对上腔室内的气体造成干扰。

附图说明

图1是本实用新型实施例的装配图。