[实用新型]一种硅片的分离机构有效
申请号: | 201820714562.6 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN208189543U | 公开(公告)日: | 2018-12-04 |
发明(设计)人: | 张学强;戴军;张建伟;罗银兵 | 申请(专利权)人: | 罗博特科智能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 耿丹丹 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 分离机构 滑动块 滑杆 吹气组件 安装板 安装架 滑动 风刀 硅片分片 驱动汽缸 可移动 上端 负压 划痕 申请 驱动 | ||
本申请提供了一种硅片的分离机构,所述的分离机构包括第一安装架,所述的第一安装架的上端设置有第一吹气组件,所述的第一吹气组件包括第一滑杆、能够沿所述的第一滑杆滑动的第一滑动块、驱动所述的第一滑动块沿所述的第一滑杆滑动的第一驱动汽缸,所述的第一滑动块上固定有一第一安装板,所述的第一安装板上设置有至少一个第一风刀。本申请的一种硅片分离机构,具有可移动的风刀,吹向硅片之间,消除硅片之间的负压,避免硅片分片过程中产生的划痕。
技术领域
本申请涉及一种硅片的分离机构。
背景技术
硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900 摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。
在退火工艺中,需要将双片的硅片分为单片,但是在分片过程中,由于片与片之间会产生负压,因此,在分片的过程中容易造成划痕,为避免划痕的产生,继续生产一种能够消除两个硅片之间负压的机构。
实用新型内容
本申请要解决的技术问题是提供一种硅片的分离机构。
为了解决上述技术问题,本申请提供了一种硅片的分离机构,所述的分离机构包括第一安装架,所述的第一安装架的上端设置有第一吹气组件,所述的第一吹气组件包括第一滑杆、能够沿所述的第一滑杆滑动的第一滑动块、驱动所述的第一滑动块沿所述的第一滑杆滑动的第一驱动汽缸,所述的第一滑动块上固定有一第一安装板,所述的第一安装板上设置有至少一个第一风刀。
优选地,所述的分离机构还包括第二安装架,所述的第二安装架的上端设置有第二吹气组件,所述的第一吹气组件和第二吹气组件相对设置,分别位于待分离硅片的两侧。
优选地,所述的第二安装架的上端设置有第二吹气组件,所述的第二吹气组件包括第二滑杆、能够沿所述的第二滑杆滑动的第二滑动块、驱动所述的第二滑动块沿所述的第二滑杆滑动的第二驱动汽缸,所述的第二滑动块上固定有一第二安装板,所述的第二安装板上设置有至少一个第二风刀。
优选地,所述的第一滑杆与所述的第二滑杆相互平行设置,且所述的第一滑杆和第二滑杆沿水平方向设置。
优选地,所述的第一安装架上还设置有一升降装置,所述的第一吹气组件安装在所述的升降装置上,所述的升降装置用于驱动所述的第一吹气组件在上下移动。该升降机构的作用为,当硅片分离完成后,升降机构控制吹气组件下降,起到避让作用,使硅片能够顺利移动至下一个工位。
优选地,所述的升降装置为一升降汽缸,所述的汽缸包括一驱动杆,所述的第一吹气组件固定在所述的驱动杆的上端部。
本申请的一种硅片分离机构,具有可移动的风刀,吹向硅片之间,消除硅片之间的负压,避免硅片分片过程中产生的划痕。
附图说明
图1是一种硅片分离机构的结构示意图。
其中:11、第一安装架;12、升降装置;13、第一吹气组件;14、第一滑动块;15、第一滑杆;16、第一安装板;17、第一风刀;21、第二安装架;23、第二吹气组件;25、第二滑杆;26、第二安装板;27、第二风刀。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本申请并能予以实施,但所举实施例不作为对本申请的限定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造