[实用新型]一种基于GeTe的互补型阻变存储器有效
| 申请号： | 201820713577.0 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN208078024U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 马国坤;何玉立;王浩;陈钦;陈傲;刘春雷 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补型 本实用新型 阻变存储器 薄膜介质层 导电电极 上表面 三明治 非易失性存储器 阻变存储器元件 阻变存储器件 金属 存储器性能 功能器件 十字交叉 限制电流 有效解决 阻态切换 低功耗 电激励 纳电子 顶层 串扰 微缩 存储 应用 开发 | ||
1.一种基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述存储器包括底层导电电极；设于底层导电电极上表面的GeTe薄膜介质层；设于GeTe薄膜介质层上表面的顶层导电电极。
2.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极由FTO、ITO、ZTO、TaN、或TiN制成。
3.根据权利要求2所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极厚度为50～500nm。
4.根据权利要求3所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述底层导电电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～100μm。
5.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层厚度为5～200nm。
6.根据权利要求5所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～100μm。
7.根据权利要求1所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述顶层导电电极由Pt、Au、Pd、Al、Cu、或Ag制成。
8.根据权利要求7所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述顶层导电电极厚度为50～500nm。
9.根据权利要求8所述的基于GeTe的互补型阻变存储器，其特征在于：所述顶层导电电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～100μm。
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