[实用新型]红外线接收芯片电路及红外线接收系统

权利要求书

1.一种红外线接收芯片电路，包括用于接收红外线载波信号并将其转换为载波电信号的红外线感应二极管以及用于将所述载波电信号进行信号优化处理并输出的芯片内部系统，其特征在于，所述芯片内部系统包括依次电连接的输入端、电磁波反射单元、预放大器、增益可变放大器、带通滤波器、比较器、积分器、施密特触发器、第一晶体管、输出端以及连接于所述比较器的输出与所述增益可变放大器的输入之间的自动增益控制单元；所述第一晶体管的栅极端连接至所述施密特触发器的输出，所述第一晶体管的源极端连接至接地端，所述第一晶体管的漏极连接至所述输出端且所述第一晶体管的漏极通过串联一过压电阻连接至电源端；所述电磁波反射单元用于接收所述载波电信号，并对所述载波电信号进行电磁波干扰信号反射处理。

2.根据权利要求1所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述电磁波反射单元包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容以及第二晶体管；

所述第一电阻的第一端连接至所述红外线感应二极管的输出，所述第一电阻的第二端分别连接至所述第二电阻的第一端和所述第三电阻的第一端；

所述第二电阻的第二端分别连接至所述第五电阻的第一端和第二电容的第一端；

所述第三电阻的第二端分别连接至所述第四电阻的第一端、所述第六电阻的第一端以及所述第一电容的第一端；

所述第四电阻的第二端连接至所述第二晶体管的源极端；

所述第五电阻的第二端分别连接至所述第七电阻的第二端、所述第一电容的第二端、所述第三电容的第二端以及所述第五电容的第一端；

所述第六电阻的第二端分别连接所述第七电阻的第一端、所述第二电容的第二端、所述第三电容的第一端、所述第四电容的第一端；

所述第四电容的第二端连接至所述预放大器的正输入端，所述第五电容的第二端连接至所述预放大器的负输入端；

所述第二晶体管的漏极端连接至电源端，所述第二晶体管的栅极端连接至所述第二晶体管的漏极端。

3.根据权利要求2所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS晶体管。

4.根据权利要求1所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述红外线接收芯片电路还包括增益抑制单元，所述增益抑制单元连接于所述增益可变放大器与所述带通滤波器之间，用于将经所述增益可变放大器处理后的所述载波电信号进行波形失真增益抑制处理。

5.根据权利要求4所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述增益抑制单元包括第八电阻、第六电容、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管；

所述第三晶体管的源极端、所述第六晶体管的源极端以及所述第七晶体管的源极端分别连接至所述增益可变放大器的正输出端；

所述第四晶体管的源极端、所述第五晶体管的源极端、所述第七晶体管的源极端以及所述第六电容的负端分别连接至所述增益可变放大器的负输出端；

所述第三晶体管的栅极端分别连接至所述第三晶体管的漏极端、所述第六晶体管的栅极端、所述第四晶体管的漏极端、所述第四晶体管的栅极端；

所述第六晶体管的漏极端分别连接至所述第五晶体管的栅极端、所述第五晶体管的漏极端以及所述第八电阻的第一端；

所述第八电阻的第二端分别连接至所述第六电容的正极端和所述第七晶体管的栅极端；

所述第七晶体管的源极端和所述第七晶体管的漏极端分别连接至所述带通滤波器的输入。

6.根据权利要求5所述的红外线接收芯片电路，其特征在于，所述第三晶体管和所述第六晶体管均为PMOS晶体管；所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第七晶体管均为NMOS晶体管。

7.一种红外线接收系统，其特征在于，包括如权利要求1-6任意一项所述的红外线接收芯片电路。