[实用新型]一种浪涌电流抑制缓启动电路

说明书

本实用新型涉及一种浪涌电流抑制缓启动电路，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极接电阻R4，同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接地，电阻R4分别接电阻R5和二极管ZD2，二极管ZD2接地，电阻R5接晶体管Q2的基极，同时电阻R5经电阻R6接地，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q1的发射极接地，本实用新型设计的一种浪涌电流抑制缓启动电路控制精确，功耗低，安全可靠。

技术领域

本实用新型涉及电路设备领域，尤其涉及一种浪涌电流抑制缓启动电路。

背景技术

由于目前电源应用领域非常广泛，LED驱动电源，TV电源，适配器，汽车充电器，手机快充等等。而不同领域的电源其特性差异非常大，普通适配器电源，TV电源采用恒定电压输出，对负载的容性阻抗要求不高，因此在使用和测试中能承受很大的浪涌电流而不被保护，但对于部分LED驱动电源，汽车充电器，手机快充等产品实际使用时其负载为非容性，在开机瞬间没有浪涌电流，因此在电源设计时电流保护灵敏度比较高。当输出负载阻抗为容性时，会在开机瞬间，电源输出电压给负载输入电容充电出现很大的浪涌电流，这直接导致电源产品保护。因此对该类型的电源测试时必须要对浪涌电流进行抑制，否则无法进行测试。需要设计一款电路能有效抑制浪涌电流而又能保证测试顺利进行。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种浪涌电流抑制缓启动电路，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种浪涌电流抑制缓启动电路，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极接电阻R4，同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接地，电阻R4分别接电阻R5和二极管ZD2，二极管ZD2接地，电阻R5接晶体管Q2的基极，同时电阻R5经电阻R6接地，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q1的发射极接地。

本实用新型设计的一种浪涌电流抑制缓启动电路采用了NMOS管Q1和Q2，NMOS管Q1和Q2成本低、功耗低，控制导通精确，整体提升设备电路性能，保证用户控制操作稳定性，大大提高用户的工作效率。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。

一种浪涌电流抑制缓启动电路，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极接电阻R4，同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接地，电阻R4分别接电阻R5和二极管ZD2，二极管ZD2接地，电阻R5接晶体管Q2的基极，同时电阻R5经电阻R6接地，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q1的发射极接地。

本实用新型设计的一种浪涌电流抑制缓启动电路运行时，电压经VIN输入到CL，RL，开机瞬间CL可视为短路状态，此时电压经CL，RL后通过启动电阻R1限流后电源经VIN给CL充电，此时VOGND电压很高，该电压经R4，R5，R6检测后三极管Q2处于导通状态。由于三极管Q2导通，VIN电压经R2后直接通过三极管Q2到地，因此NMOS管Q1 G极电压为低电平，NMOS管Q1截止。当电源经VIN，CL，R1继续为CL充电，CL两端电压开始逐渐上升，VOGND电压开始下降，当R4，R5，R6，所构成的检测电路检测到VOGND电压降到一定值时，三极管Q2从导通状态变为截止状态，此时VIN经R2与C1充电，VG电压开始升高，当VG电压上升到Q1导通电压时，NMOS管Q1导通，将R1短路，此时CL，RL可以正常带载工作，浪涌抑制电路启动结束，仅NMOS管Q1导通工作，而Q1内阻非常小，在CL，RL作用下损耗可以忽略不计，因此该电路能有效抑制电流浪涌问题。