[实用新型]一种磁控溅射靶及磁体结构

说明书

本实用新型公开了一种磁控溅射靶及磁体结构，箱体内设有永久磁铁，永久磁铁与同轴励磁线圈连接，永久磁铁外侧设有冷却系统，永久磁铁上方设有励磁线圈，永久磁铁与铜靶连接，本实用新型具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点。

技术领域

本实用新型涉及磁控的技术领域，尤其涉及一种磁控溅射靶及磁体结构。

背景技术

磁控溅射技术是典型的物理沉积方法其具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点，在镀膜工业应用领域，特别是在硬质薄膜、光学薄膜、微电子和材料表面处理领域中，用于薄膜沉积和表面覆盖的制备，具有广泛的应用，然而在磁控溅射中，存在一些问题，靶材利用率低，现有的由于靶表面磁场分布不均匀，对于磁场对刻损伤较严重。

实用新型内容

实用新型目的：本实用新型所要解决的溅射率低、操控不方便、装置性能不稳定的技术问题，本实用新型提供一种磁控溅射靶及磁体结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种磁控溅射靶及磁体结构，包括励磁线圈、冷却系统、永久磁铁、铜靶、同轴励磁线圈、箱体，所述箱体内设有永久磁铁，所述永久磁铁与同轴励磁线圈连接，所述永久磁铁外侧设有冷却系统，所述永久磁铁上方设有励磁线圈，所述永久磁铁与铜靶连接。

进一步，所述励磁电流为250/300、400、500ma。

本实用新型具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点。

附图说明

图1为本实施例一种磁控溅射靶及磁体结构的结构示意图。

图中：励磁线圈1、冷却系统2、永久磁铁3、铜靶4、同轴励磁线圈5、箱体6。

具体实施方式

以下结合附图并通过具体实施例对本实用新型做进一步阐述，应当指出：对于本工艺领域的普通工艺人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，对本实用新型的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

实施例1:

如图1所示一种磁控溅射靶及磁体结构，包括励磁线圈1、冷却系统2、永久磁铁3、铜靶4、同轴励磁线圈5、箱体6，所述箱体6内设有永久磁铁3，所述永久磁铁3与同轴励磁线圈1连接，所述永久磁铁3外侧设有冷却系统2，所述永久磁铁3上方设有励磁线圈1，所述永久磁铁3与铜靶4连接，本实用新型具有溅射率高、操控方便、装置性能稳定等优点。