[实用新型]集成电路存储器及半导体集成电路器件有效

专利信息
申请号: 201820687274.6 申请日: 2018-05-09
公开(公告)号: CN208127209U 公开(公告)日: 2018-11-20
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8242
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 集成电路存储器 存储晶体管 半导体集成电路器件 衬底 排布 本实用新型 存储单元 单元配置 密集排布 竖直结构 竖直设置 密集度 减小 柱体
【权利要求书】:

1.一种集成电路存储器,其特征在于,包括:

一衬底;

多条位线,形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸;

多个有源柱体,形成在所述位线上,以使所述有源柱体的底端部连接至所述位线;以及,

多条字线,形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸,所述字线在其延伸方向上连接有栅极管,所述栅极管环绕相应的有源柱体的外侧壁,所述有源柱体的顶端外露于所述栅极管,由所述有源柱体和所述栅极管共同构成所述集成电路存储器的立式存储晶体管。

2.如权利要求1所述的集成电路存储器,其特征在于,所述集成电路存储器的所述立式存储晶体管在所述衬底上的单元配置尺寸大于等于最小特征尺寸的平方的4倍。

3.如权利要求1所述的集成电路存储器,其特征在于,所述集成电路存储器还包括:多个存储元件,形成在所述立式存储晶体管的上方,并与所述有源柱体的所述顶端部电性连接。

4.如权利要求1所述的集成电路存储器,其特征在于,所述有源柱体的所述底端部中形成有第一掺杂区,连接于所述位线上,所述有源柱体的所述顶端部中形成有第二掺杂区,用以连接存储元件,所述第一掺杂区和所述第二掺杂区分别构成所述立式存储晶体管的漏区和源区。

5.如权利要求4所述的集成电路存储器,其特征在于,还包括:

一绝缘介质层,形成在所述衬底上,所述绝缘介质层填充相邻的所述位线之间的间隙并覆盖所述位线,所述字线形成在所述绝缘介质层上。

6.如权利要求5所述的集成电路存储器,其特征在于,所述绝缘介质层还环绕所述有源柱体的部分底端部;并且,所述绝缘介质层的顶表面高于所述位线的顶表面,并低于所述有源柱体的所述第一掺杂区的顶部边界。

7.如权利要求1所述的集成电路存储器,其特征在于,所述有源柱体的形状包括圆柱体。

8.如权利要求1所述的集成电路存储器,其特征在于,多条所述字线和多条所述位线空间相交并具有多个交叠区域,一个交叠区域对应一个所述有源柱体,多个所述有源柱体中等距相邻同一有源柱体的六个有源柱体呈现六方阵列排布。

9.如权利要求1~8任一项所述的集成电路存储器,其特征在于,还包括:

一间隔介质层,形成在所述衬底上并填充相邻的所述栅极管之间的间隙。

10.如权利要求9所述的集成电路存储器,其特征在于,所述字线包括多个连接所述栅极管的连接线部,所述连接线部规则线性连接相邻的所述有源柱体上的所述栅极管,并且所述连接线部的顶表面低于所述栅极管的顶表面;其中,所述间隔介质层进一步覆盖所述连接线部,并延伸覆盖所述栅极管的侧壁。

11.如权利要求10所述的集成电路存储器,其特征在于,所述字线的所述连接线部的延伸方向在所述衬底上的投射影像和所述位线相交并具有一夹角,所述夹角的角度介于50°~70°。

12.一种半导体集成电路器件,其特征在于,包括:

一衬底;

多条第一传导线,形成在所述衬底上并沿着第一方向延伸;

多个有源柱体,形成在所述第一传导线上,以使所述有源柱体的底端部连接至所述第一传导线上;以及,

多条第二传导线,形成在所述衬底上并沿着第二方向延伸,所述第二传导线在其延伸方向上环绕相应的有源柱体的侧壁,以延伸连接多个所述相应的有源柱体。

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