[实用新型]高浓度臭氧气体系统有效
申请号: | 201820670010.X | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN208413849U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | C01B13/10 | 分类号: | C01B13/10 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
地址: | 215121 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 自动控制系统 臭氧气体 臭氧 传输控制系统 高浓度臭氧 气体系统 高浓度臭氧发生器 质量流量控制器 控制台 隔板 本实用新型 气体输入口 压力传感器 多通道 控制阀 生产成本 | ||
本实用新型提供一种高浓度臭氧气体系统,包括:控制台、管路、隔板、高浓度臭氧发生器、臭氧气体传输控制系统和臭氧浓度PID自动控制系统;且臭氧浓度PID自动控制系统是多通道臭氧浓度PID自动控制系统,臭氧气体传输控制系统包括气体输入口、质量流量控制器、压力传感器和控制阀,本系统能产生高浓度的臭氧气体,并且经臭氧气体传输控制系统和臭氧浓度PID自动控制系统分别调节流量和浓度,可以同时对多个设备进行高浓度臭氧气体的供应,且降低了生产成本。
技术领域
本实用新型涉及臭氧气体系统,尤其涉及一种高浓度臭氧气体系统。
背景技术
ALD(单原子层沉积)又称原子层沉积或原子层外延,是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法,每次反应只沉积一层原子。原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型,优异的沉积均匀性和一致性使得其在微纳电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。CVD(化学气相淀积)指高温下的气相反应,它沉积温度低,薄膜成份易控,膜厚与淀积时间成正比,均匀性,重复性好,台阶覆盖性优良。
目前ALD与CVD设备使用的氧化介质有臭氧、笑气、水蒸气等多种介质,但是臭氧由于其强氧化性能增强沉积效率以及提升薄膜特性,因此越来越多ALD与CVD设备开始使用臭氧作为氧化介质,目前高浓度气体系统被国外垄断,国内的技术相对比较落后。
目前国产臭氧系统以管式发生器为主,主要用于水处理、消毒、清洁等行业,臭氧浓度一般只有8%左右,而且有金属污染,然而光伏与半导体行业需求臭氧浓度20%以上,而且要求产生的臭氧非常纯净,没有金属等污染物。
实用新型内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种高浓度臭氧气体系统。
本实用新型采用了如下技术方案:
一种高浓度臭氧气体系统包括:控制台、管路、隔板、高浓度臭氧发生器、臭氧气体传输控制系统和臭氧浓度PID(Proportion Integration Differentiation,比例-积分-微分)自动控制系统;所述控制台包括位于台面下的箱体,所述箱体包括臭氧输出口,所述臭氧输出口和所述高浓度臭氧发生器连接,所述高浓度臭氧发生器为板状水冷式臭氧发生器并安装于所述箱体的内部,所述高浓度臭氧发生器通过所述管路与所述臭氧气体传输控制系统连接,所述臭氧气体传输控制系统通过螺丝安装在所述控制台的台面上的右侧,所述臭氧气体传输控制系统包括气体输入口、质量流量控制器、压力传感器和控制阀,所述气体输入口位于所述管路的管口处,所述控制阀、所述质量流量控制器和所述压力传感器均安装在所述管路上,所述控制阀电性连接于所述质量流量控制器和所述压力传感器,所述臭氧浓度PID自动控制系统是多通道臭氧浓度PID自动控制系统,所述臭氧浓度PID自动控制系统安装于所述控制台的台面上的左侧并通过所述隔板与外部隔开,所述臭氧气体传输控制系统和所述臭氧浓度PID自动控制系统均与所述高浓度臭氧发生器通过电路连接。
优选地,所述箱体的数量为一个或多个,所述箱体并列固定于所述控制台的台面下。
优选地,所述箱体包括第一侧面和第二侧面,所述第一侧面安装有门扇和门把手,所述门把手通过电路连接于所述高浓度臭氧发生器。
优选地,所述臭氧输出口位于所述第二侧面的下方,并且一端连接所述高浓度臭氧发生器,另一端连接用以输送臭氧气体的软管。
优选地,所述臭氧输出口和所述气体输入口为可拆卸替换的不锈钢接口或PVC(polyvinyl chloride,聚氯乙烯)接口。
优选地,所述管路为可拆卸替换的不锈钢管路。
优选地,所述隔板上分布有多个散热孔。
优选地,所述高浓度臭氧发生器为一个或多个,且可拆卸地安装在所述箱体中。
优选地,所述质量流量控制器采用与计算机连接来设定参数的方式。
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