[实用新型]光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置有效
申请号: | 201820662295.2 | 申请日: | 2018-05-06 |
公开(公告)号: | CN208298786U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 何金花 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗喷嘴 晶圆 侧缘 晶圆清洗装置 本实用新型 光刻胶涂布 工作平台 污染物 半导体器件性能 半导体器件 晶圆表面 同一水平 上边缘 上表面 下边缘 下表面 中心点 良率 喷洗 斜向 旋杯 去除 残留 | ||
1.一种光刻胶涂布工艺中的晶圆清洗装置,其特征在于,包括:
基座,所述基座上连接旋转臂,所述旋转臂上设置有支撑盘,所述支撑盘用于承载并固定晶圆;
工作平台,所述工作平台内对应所述晶圆的上表面处设置有上边缘清洗喷嘴、对应所述晶圆的侧缘处设置有第一侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的下表面处设置有第一下边缘清洗喷嘴,所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向和所述第一下边缘清洗喷嘴的喷洗方向之间的内夹角间,用于清洗所述晶圆的侧缘;
旋杯,用于回收由所述晶圆上溅出的光刻胶,所述旋杯环绕所述支撑盘,且不与所述支撑盘接触,所述第一侧缘清洗喷嘴设置在所述旋杯的顶部内侧,所述第一侧缘清洗喷嘴工作时与所述晶圆保持同一水平高度,所述第一侧缘清洗喷嘴的喷洗方向斜向于所述晶圆的中心点。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述工作平台内对应所述晶圆的另一侧缘处设置有第二侧缘清洗喷嘴及对应所述晶圆的另一下表面处设置有第二下边缘清洗喷嘴。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴口直径介于0.3毫米~5毫米,所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴的喷嘴长度介于1毫米~100毫米。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一侧缘清洗喷嘴和所述第二侧缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于20毫升/分钟~50毫升/分钟。
5.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴用于从下向上斜向冲洗所述晶圆的下表面边缘。
6.根据权利要求5所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆的下表面边缘之间的距离介于0.1毫米~10毫米,所述第一下边缘清洗喷嘴和所述第二下边缘清洗喷嘴与所述晶圆下表面之间的夹角介于45度~60度。
7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述上边缘清洗喷嘴的喷洗边缘与所述晶圆的上表面边缘之间的距离介于40毫米~50毫米,所述上边缘清洗喷嘴的喷洗方向与所述晶圆的上表面边缘之间的夹角介于30度~40度。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述上边缘清洗喷嘴的直径介于0.9毫米~1.2毫米,所述上边缘清洗喷嘴喷出的液体流量介于45毫升/分钟~85毫升/分钟。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造