[实用新型]用于半导体器件的通孔有效
| 申请号： | 201820659149.4 | 申请日： | 2018-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN208298810U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·阿米勒;E·威廉·科威尔三世 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通孔 钨层 半导体器件 沉积 保形地 垂直地 凹进 平行 对准 观察 | ||
1.一种用于半导体器件的通孔，其特征在于，包括：
第一钨层，所述第一钨层保形地沉积在所述通孔内且凹进所述通孔内；以及
第二钨层，所述第二钨层沉积到所述第一钨层上方的凹槽中；
其中由所述第二钨层形成的平面基本上平行于与在横截面中所观察到的所述通孔的最长尺寸基本上垂直地对准的平面。
2.根据权利要求1所述的通孔，其中，所述第二钨层的深度小于所述通孔的宽度的一半。
3.根据权利要求1所述的通孔，其中，所述通孔还包括耦接到所述第一钨层的第一衬垫。
4.根据权利要求1所述的通孔，其中，所述通孔还包括耦接在所述第二钨层与所述第一钨层之间的第二衬垫。
5.根据权利要求4所述的通孔，其中，所述第二衬垫的材料的有效电阻高于钨的有效电阻。
6.一种用于半导体器件的通孔，其特征在于，包括：
第一衬垫，所述第一衬垫耦接到所述通孔的表面的第一部分；
第一层，所述第一层耦接到所述第一衬垫；
第二衬垫，所述第二衬垫耦接到所述通孔的所述表面的第二部分并且耦接到所述第一层；以及
第二层，所述第二层耦接到所述第二衬垫；
其中第二衬垫的材料的有效电阻不同于所述第二层的材料的有效电阻。
7.根据权利要求6所述的通孔，其中，所述第一层是钨层。
8.根据权利要求6所述的通孔，其中，所述第二层是钨层。
9.根据权利要求6所述的通孔，其中，所述第二层的深度小于所述通孔的宽度的一半。
10.根据权利要求6所述的通孔，其中，由第二钨层形成的平面基本上平行于与所述通孔的最长尺寸基本上垂直地对准的平面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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