[实用新型]外延结构和发光二极管

说明书

本申请涉及一种外延结构和发光二极管。一种外延结构，包括：柔性层，所述柔性层形成于所述外延结构的衬底的上表面与所述外延结构的N型层的下表面之间。该外延结构具有弯曲和伸缩性能，将该外延结构应用到发光二极管中，极大的扩展了发光二极管的应用环境。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种外延结构和发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种能发光的半导体电子元件，由于LED具有体积小、能耗低、寿命长、驱动电压低等优点，被广泛用于指示灯、显示屏等设备中。

为了提高LED的发光效率，可以在LED上设置LED外延结构，传统的外延结构自下往上依次包括衬底、N型层、应力释放层、多量子阱层和P型层。

然而，传统的外延结构发光效率低、延展性较差，给LED的普及应用带来了一定的局限性。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的外延结构发光效率低、延展性较差的问题，提供一种外延结构和发光二极管。

一种外延结构，包括：柔性层，所述柔性层形成于所述外延结构的衬底的上表面与所述外延结构的N型层的下表面之间。

上述外延结构，包括柔性层，柔性层形成于外延结构的衬底的上表面与外延结构的N型层的下表面之间，由于柔性层具有一定的延展性，使得该外延结构具有弯曲和伸缩性能，将该外延结构应用到发光二极管中，极大的扩展了发光二极管的应用环境。

在其中一个实施例中，所述外延结构还包括石墨烯层；所述石墨烯层形成于所述衬底的上表面与所述柔性层的下表面之间。

上述外延结构还包括石墨烯层，石墨烯层形成于衬底的上表面与柔性层的下表面之间。由于石墨烯与衬底之间以微弱的分子键连接，因此，易于将衬底从石墨烯层上剥离，且不会损伤N型层。同时，石墨烯因具备良好的电学、力学、热学及光学性能，应用在二极管的外延结构中，可以极大的提高二极管的出光效率。

在其中一个实施例中，所述柔性层包括垂直于所述衬底的上表面的柔性纳米柱阵列；所述柔性纳米柱阵列中的柔性纳米柱之间填充有绝缘体。

在其中一个实施例中，所述柔性纳米柱的直径为12～15nm。

在其中一个实施例中，所述柔性纳米柱阵列中的柔性纳米柱之间的间距为1～2nm。

在其中一个实施例中，所述柔性纳米柱为SnO₂纳米柱。

上述SnO₂纳米柱兼具优良的柔性和透光率，因此，采用氧化锡材料形成外延结构中的柔性层，将该外延结构封装在发光二极管中，可以制成一种无机柔性发光二极管。而氧化锡纳米材料具有良好的量子尺寸效应，在光电性质方面相较于传统的氧化锡而言会有更显著的改善。

在其中一个实施例中，所述绝缘体为氧化石墨烯材料或苯基硅橡胶复合材料。

在其中一个实施例中，所述柔性层的厚度为30～50nm。

在其中一个实施例中，所述外延结构还包括透明导电层，所述透明导电层形成于外延结构的P型层的上表面。

一种发光二极管，包括上述任一实施例中的外延结构。

上述发光二极管包括上述任一实施例中的外延结构，其中，包含有柔性层的外延结构具有高亮度和优良延展性，使得采用该外延结构的发光二极管可以应用于更广泛的环境条件中。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种外延结构的结构示意图；

图2为现有技术提供的一种外延结构的结构示意图；